[發(fā)明專利]一種碳化硅納米纖維/炭纖維復(fù)合氈體的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810030854.9 | 申請日: | 2008-03-19 |
| 公開(公告)號: | CN101250728A | 公開(公告)日: | 2008-08-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 徐先鋒;肖鵬;許林;熊翔;黃伯云 | 申請(專利權(quán))人: | 中南大學(xué);華東交通大學(xué) |
| 主分類號: | C25D3/12 | 分類號: | C25D3/12 |
| 代理公司: | 長沙市融智專利事務(wù)所 | 代理人: | 鄧建輝 |
| 地址: | 410083*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 碳化硅 納米 纖維 復(fù)合 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種氈體的制備方法,特別是涉及一種碳化硅納米纖維/炭纖維復(fù)合氈體的制備方法。
背景技術(shù)
炭纖維具有極高的比強度和比模量,優(yōu)良的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性、耐腐蝕性以及在還原性氣氛中良好的耐高溫性能,被廣泛用作復(fù)合材料的增強(增韌)相。但是,傳統(tǒng)的C/C或C/SiC復(fù)合材料中,氈體中炭纖維無論采用3D或4D編織,其強度、韌性、導(dǎo)電、導(dǎo)熱等力學(xué)或物理性能,都存在很大的各向異性。碳化硅納米纖維(SiC-NF)具有優(yōu)越的力學(xué)、熱學(xué)及電學(xué)性能和高的物理化學(xué)穩(wěn)定性等特性,同樣可以作為塑料、金屬、陶瓷等復(fù)合材料的增強相。Wong?EW等已經(jīng)通過原子力顯微鏡證實了碳化硅納米棒具有很高的楊氏模量Yang等采用化學(xué)氣相滲透(CVI)法制備SiC纖維原位增強的陶瓷復(fù)合材料,取得了很好的增強效果。
過渡族元素是制備納米碳管(CNT)和納米炭纖維(CNF)時常用的催化劑,在不同條件下可以制備出不同的CNT和CNF。利用制備CNT和CNF類似的技術(shù),也可以制備出SiC-NF或納米晶須。Dikonimos?MT和Riccardis?MFD曾以炭纖維為基體制備了CNT或CNF,并將其應(yīng)用于傳統(tǒng)的炭纖維增強復(fù)合材料領(lǐng)域。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種碳化硅納米纖維/炭纖維復(fù)合氈體的制備方法,采用該方法編織的復(fù)合氈體能夠在炭纖維表面原位生成SiC-NF,利用炭纖維的良好力學(xué)和導(dǎo)電導(dǎo)熱性能的同時,充分發(fā)揮各向原位生長納米碳化硅纖維的力學(xué)和物理特性,并以此作為傳統(tǒng)C/C或C/SiC復(fù)合材料的增強體,改善復(fù)合材料的各向異性,提高使用性能。
為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供的碳化硅納米纖維/炭纖維復(fù)合氈體的制備方法,將針刺整體炭氈進行纖維表面去膠處理后,用硫酸鎳溶液或硫酸鈷溶液為電鍍液,pH值為3~5,在電流強度為80~120mA,電鍍5~10分鐘,或以濃度為15~25g/L的SnCl2和濃度為30~40ml/L的鹽酸混合液為敏化劑,于室溫敏化2~4分鐘,反復(fù)去離子水浸泡清洗后于濃度為0.4~0.6g/L的PdCl2和濃度為8~12ml/L的鹽酸混合液中活化4~6分鐘,反復(fù)去離子水浸泡清洗后在濃度為16~18g/L的NiSO4或濃度為8~12g/L的CoSO4、濃度為23~26g/L的NaH2PO2、濃度為20~25g/L的NaC2H3O2、濃度為20~25g/L的Na3C6H5O7和濃度為6~8mg/L的PdNO3混合液中,控制溫度為80-85℃,pH值為3~4時化學(xué)鍍2~4分鐘,將鎳或鈷以細顆粒狀方式吸附在炭氈纖維的表面上,在100~120℃的溫度下干燥2~6小時后,在化學(xué)氣相沉積爐中沉積碳化硅,控制沉積氣源三氯甲基硅烷,載氣氫氣和稀釋氬氣的流量比為1∶2~4∶3~5,在沉積溫度為1073~1373K,保持爐壓為20~500Pa,沉積時間為1~15小時,隨爐冷卻后出爐,得到炭氈纖維表面生長出納米碳化硅纖維的復(fù)合氈體。
在此過程中,電鍍或化學(xué)鍍的過度族元素的金屬顆粒作為碳化硅納米纖維氣相生長的催化劑,因為硅、碳原子在催化劑顆粒的(111)面結(jié)合能力最強,在其它晶面(311)、(100)和(110)等的結(jié)合能力相差不大,在化學(xué)氣相沉積過程中,硅、碳原子先在不同的晶面上吸附,并向鎳晶體表面或內(nèi)部擴散,達到飽和后在結(jié)合能力較弱的表面析出,因此納米SiC纖維沿一定方向連續(xù)生長。另外,可以控制鍍液成分和濃度,或電鍍或化學(xué)鍍的時間,達到控制催化劑顆粒的形態(tài)和分布催化劑顆粒的形態(tài),來控制納米纖維的長度和直徑。催化劑晶體顆粒越細小,在化學(xué)氣相沉積氣氛中越容易形成顯著的晶面,越能夠發(fā)揮催化SiC納米纖維生長效果(即其催化活性越大),所得到的納米纖維越細長,分布也更均勻。三氯甲基硅烷(MTS)熱分解可以得到氣相生長的碳化硅氣源。通過控制氣相沉積條件,控制炭氈表面氣相生長的納米碳化硅纖維的相對量。
本發(fā)明的優(yōu)點在于:
通過原位氣相生長的方法,將兩種超強材料復(fù)合,制備出一種復(fù)合氈體;
通過原位各向氣相生長納米碳化硅纖維,發(fā)揮的納米碳化硅纖維的力學(xué)和物理特性,改善炭氈的各向異性;
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