[發(fā)明專利]基于單個極性半導體納米帶光彈簧的制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810030575.2
• 申請日: 2008-01-30
• 公開（公告）號: CN101224868A
• 公開（公告）日: 2008-07-23
• 發(fā)明（設計）人: 鄭學軍;陳義強;王甲世;姜傳斌;龔倫軍
• 申請（專利權）人: 湘潭大學
• 主分類號: B82B3/00
• 分類號: B82B3/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于單個極性半導體納米帶光彈簧的制作方法，其特征在于：

1)以半導體粉末為原料，采用熱蒸發(fā)方法制備半導體納米帶絮狀物；

2)用揮發(fā)性溶液作為分散液，將半導體納米帶絮狀物溶解在分散液中，并經(jīng)超聲振蕩后，使半導體納米帶絮狀物分散成單個極性半導體納米帶，懸浮在分散液中；

3)將置于空氣中形成二氧化硅絕緣層的單晶硅片作為襯底；

4)將懸浮單個極性半導體納米帶的分散液滴在襯底上經(jīng)自然揮發(fā)，得到隨機分布的單個半導體納米帶；

5)采用納米探針技術，選取平躺在襯底上其垂直方向具有最大的自發(fā)極化和壓電效應的單個極性半導體納米帶，作為基于單個極性半導體納米帶的光彈簧。

2.根據(jù)權利要求1所述的基于單個極性半導體納米帶光彈簧的制作方法，其特征在于，半導體粉末為II-VI族元素半導體粉末。

3.根據(jù)權利要求2所述的基于單個極性半導體納米帶光彈簧的制作方法，其特征在于，II-VI族元素半導體粉末為氧化鋅、硫化鋅和二氧化錫粉末。

4.根據(jù)權利要求1所述的基于單個極性半導體納米帶光彈簧的制作方法，其特征在于，揮發(fā)性溶液選取丙酮或乙醇。

5.根據(jù)權利要求1所述的基于單個極性半導體納米帶光彈簧的制作方法，其特征在于，單個極性半導體納米帶，是具有自發(fā)極化和可逆光致伸縮效應的納米結構，它們可以是量子點、納米帶、納米線、納米棒、納米管、納米環(huán)或納米薄膜。