[發明專利]一種在柔性基材上制備氧化銦錫導電膜的生產工藝

有效

• 申請號: 200810030396.9
• 申請日: 2008-08-21
• 公開（公告）號: CN101654770A
• 公開（公告）日: 2010-02-24
• 發明（設計）人: 陳劍民;來育梅;王偉
• 申請（專利權）人: 中山市東溢新材料有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/08;C23C14/54
• 代理公司: 中山市科創專利代理有限公司
• 代理人: 尹文濤

1.一種在柔性基材上制備氧化銦錫導電膜的生產工藝，其包括 以下步驟：

a、制備ITO濺射靶材：以80重量份氧化銦和10重量份氧化錫 為原料，制粉后混合均勻，經過等靜壓，壓成塊后燒結成型；

b、把柔性基材裝在放卷輥上，柔性基材幅寬為300mm，放卷輥 與真空室絕緣，使柔性基材具有偏壓特點，可適應于所有的直流濺射 和射頻濺射工藝；柔性基材溫度控制在50℃，再向真空室內的濺射 區充入均勻的氬氣和氧氣，其中氧氣的通入量控制在0.4sccm；利用 步驟a中的濺射靶材，所采用的靶滿足其磁場可調，濺射電壓為200V， 射頻靶的入射功率為4kW，反射功率為100W，并控制沉積速率在 10×10^-7mm/s，在柔性基材上進行射頻磁控濺射和直流磁控濺射，即 得電阻率為7.0×10^-5Ω·cm，透過率為82％的氧化銦錫導電膜。

2.根據權利要求1所述的一種在柔性基材上制備氧化銦錫導電 膜的生產工藝，其中在進行步驟b之前在基材上鍍一層二氧化硅。

3.根據權利要求1所述的一種在柔性基材上制備氧化銦錫導電 膜的生產工藝，其中所述的柔性基材為PMMA、PC、PET或PI中的 一種。