[發(fā)明專利]帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片及制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810029697.X
• 申請(qǐng)日: 2008-07-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101330078A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-12-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳俊緯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣州南科集成電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/00
• 分類號(hào): H01L25/00;H01L23/488;H01L23/60;H01L23/36;H01L21/48;H01L21/50;H01L21/60
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片，包括若干個(gè)LED裸芯片(1)和硅襯底(2)，所述LED裸芯片(1)包括襯底(10)和N型外延層(11)、P型外延層(12)，其特征在于：所述硅襯底(2)上生成有導(dǎo)熱絕緣層I(41)，所述導(dǎo)熱絕緣層I(41)上生成有導(dǎo)熱絕緣層II(42)，所述導(dǎo)熱絕緣層II(42)上沉積有金屬層(6)，各所述LED裸芯片(1)正裝或倒裝在各所述金屬層(6)上，若干個(gè)所述LED裸芯片(1)之間通過(guò)所述金屬層(6)相連接組成電路，所述導(dǎo)熱絕緣層I(41)與所述導(dǎo)熱絕緣層II(42)之間于每個(gè)所述LED裸芯片(1)處均設(shè)有一個(gè)多晶硅塊，每個(gè)所述多晶硅塊的中間為多晶硅區(qū)I(9)、兩側(cè)為與所述多晶硅區(qū)I(9)極性相反的多晶硅區(qū)II(5)，兩個(gè)分離的所述金屬層(6)分別與位于同一個(gè)所述多晶硅塊內(nèi)的兩側(cè)的所述多晶硅區(qū)II(5)相連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片，其特征在于：各所述LED裸芯片(1)對(duì)應(yīng)的所述P型外延層(12)、所述N型外延層(11)分別通過(guò)焊球(80、81)倒裝焊接在兩個(gè)分離的所述金屬層(6)上，所述焊球(80、81)為金球栓或銅球栓或錫球。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片，其特征在于：所述LED裸芯片(1)為單電極芯片，所述襯底(10)為砷化鎵或碳化硅襯底，所述襯底(10)用銀漿或錫粘合在所述金屬層(6)上，所述LED裸芯片(1)的電極接點(diǎn)通過(guò)金屬線(41)焊接在相鄰的一個(gè)所述金屬層(6)上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片，其特征在于：所述LED裸芯片(1)為雙電極芯片，所述襯底(10)為氧化鋁襯底，所述襯底(10)用銀漿或錫粘合在所述金屬層(6)上，所述P型外延層(12)、所述N型外延層(11)分別通過(guò)金屬線(42、43)焊接在相鄰的兩個(gè)所述金屬層(6)上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片，其特征在于：所述硅襯底(2)的正面向內(nèi)擴(kuò)散有一層N+擴(kuò)散層(3)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片，其特征在于：所述硅襯底(2)的背面還有由一層或多層金屬構(gòu)成的散熱層(7)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任意一項(xiàng)所述的帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片，其特征在于：若干個(gè)所述LED裸芯片(1)之間串聯(lián)或并聯(lián)或串并聯(lián)組合連接，所述導(dǎo)熱絕緣層I(41)由氮化硅層或二氧化硅層或氮化硅層與二氧化硅層組合構(gòu)成，所述導(dǎo)熱絕緣層II(42)由二氧化硅層構(gòu)成，所述金屬層(6)的外表面為反光面，所述硅襯底(2)為P型或N型，所述金屬層(6)為鋁或銅或硅鋁合金。