[發明專利]禁帶寬度梯度化MgxZn1－xO光電薄膜及其制備方法無效
| 申請號： | 200810029650.3 | 申請日： | 2008-07-22 |
| 公開（公告）號： | CN101320757A | 公開（公告）日： | 2008-12-10 |
| 發明（設計）人： | 包定華;陳心滿 | 申請（專利權）人： | 中山大學 |
| 主分類號： | H01L31/0248 | 分類號： | H01L31/0248;H01L31/0296;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 廣州粵高專利代理有限公司 | 代理人： | 陳衛 |
| 地址： | 510275廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 寬度 梯度 mg sub zn 光電 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種禁帶寬度梯度化MgxZn1-xO光電薄膜，其特征在于所述 薄膜是由MgxZn1-xO構成的具有若干層的薄膜，x＝0～0.25；所述Mg 組分沿垂直襯底方向梯度變化。
2.一種權利要求1所述禁帶寬度梯度化MgxZn1-xO光電薄膜的 制備方法，其特征在于包括以下步驟：
(1)將二乙醇胺同溶劑充分混合，再加入不同配比的醋酸鋅和 醋酸鎂混勻，100～130℃加熱后冷卻到室溫，成為X值不同的多個 的MgxZn1-xO溶液，調節濃度，得到相應的多個前驅液；
(2)通過步驟(1)中得到的多個前驅液在襯底上制備薄膜，調 整甩膠參數和甩膠時間，甩膠后的濕膜在熱平板上預處理，重復甩膠、 預處理、甩膠，得到MgxZn1-xO薄膜；所述的預處理處理溫度為350 ℃，時間為5分鐘；
(3)MgxZn1-xO薄膜干燥后在500～850℃下退火，冷卻到室溫， 制得禁帶寬度梯度化MgxZn1-xO光電薄膜。
3.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于所述的溶劑是乙 二醇甲醚。
4.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于步驟(1)中二乙 醇胺同總金屬離子的摩爾比為0.6～0.9∶1。
5.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于所述的襯底是硅、 石英或藍寶石襯底。
6.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于所述在襯底上制 備薄膜是采用旋涂法制備。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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