[發(fā)明專利]一種制備電介質(zhì)陶瓷粉體的噴霧包覆方法及所得的產(chǎn)品無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810029272.9 | 申請日: | 2008-07-02 |
| 公開(公告)號: | CN101314545A | 公開(公告)日: | 2008-12-03 |
| 發(fā)明(設計)人: | 杜澤偉;曹秀華;孟淑媛;付振曉 | 申請(專利權)人: | 廣東風華高新科技股份有限公司 |
| 主分類號: | C04B35/628 | 分類號: | C04B35/628 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利代理有限公司 | 代理人: | 羅曉林 |
| 地址: | 526020廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 制備 電介質(zhì) 陶瓷 噴霧 方法 所得 產(chǎn)品 | ||
1、一種制備電介質(zhì)陶瓷粉體的噴霧包覆方法,依次步驟為:
A、將主晶相陶瓷粉體與改性金屬離子復合可溶性無機鹽前驅(qū)物或溶膠放入去離子水中進行物理分散處理成流動性好的料漿;或者先用去離子水物理分散主晶相陶瓷粉體成流動性好的料漿再加入改性金屬離子復合可溶性無機鹽前驅(qū)物或溶膠調(diào)配成料漿;或者直接選用水性料漿;
B、將步驟A所述料漿,用去離子水調(diào)配成固含量為5%~70%的料漿;
C、將步驟B所得的料漿一邊攪拌一邊用料泵輸送到噴霧干燥機,控制進料速度為0.01L/min~6.0L/min,在120℃~450℃的熱風溫度下噴霧干燥,得到需要的電介質(zhì)陶瓷粉體,所得粉體造粒直徑為500nm~200μm,水分含量≤3.0%;
或者:
D、將步驟C所得的電介質(zhì)陶瓷粉體再放入高溫爐250~1200℃下煅燒0.5~6小時。
2.根據(jù)權利要求1所述的電介質(zhì)陶瓷粉體的噴霧包覆方法,其特征在于:所述的主晶相陶瓷粉體由水熱法、共沉淀法、均相沉淀法、草酸法、溶膠-凝膠法、微乳液法、噴霧分解法、氣相法擇一制備,粉體粒徑是50~1500nm。
3、根據(jù)權利要求2所述的電介質(zhì)陶瓷粉體的噴霧包覆方法,其特征在于:所述的改性金屬離子可溶性無機鹽或其溶膠包括氫氧化物或水合氧化物、硝酸鹽、醋酸鹽、檸檬酸鹽、草酸鹽或其溶膠、高分散納米懸浮液中的一種或幾種混合溶液。
4、根據(jù)權利要求3所述的電介質(zhì)陶瓷粉體的噴霧包覆方法,其特征在于:所述的去離子水量∶主晶相陶瓷粉體質(zhì)量比是0.7~4.0∶1。
5、根據(jù)權利要求4所述的電介質(zhì)陶瓷粉體的噴霧包覆方法,其特征在于:所述的主晶相陶瓷粉體是用攪拌、球磨、砂磨、三維振動擇一物理分散方式處理。
6、根據(jù)權利要求1所述的電介質(zhì)陶瓷粉體的噴霧包覆方法,其特征在于:所述的步驟B中,用去離子水將料漿調(diào)配成固含量為20~50%的料漿。
7、根據(jù)權利要求6所述的電介質(zhì)陶瓷粉體的噴霧包覆方法,其特征在于:所述的步驟C中,噴霧干燥溫度是180~300℃,粉體造粒直徑是5.0μm~80μm,水份含量<1.0%。
8、根據(jù)權利要求7所述的電介質(zhì)陶瓷粉體的噴霧包覆方法,其特征在于:所述的步驟D中,煅燒溫度為700~1000℃,保溫0.5~3h。
9、一種根據(jù)權利要求1~8中擇一所述的噴霧包覆方法制備的電介質(zhì)陶瓷粉體,其特征在于:它包括主晶相陶瓷粉體或者主燒塊陶瓷粉體、改性金屬離子和助燒劑,其配方分子式為(1-m)MA-mMB-pMZ,其中MA表示主燒塊,MB為改性成份,MZ為助燒劑成分,m=0~15,p=0~3。
10、根據(jù)權利要求9所述的電介質(zhì)陶瓷粉體,其特征在于:所述的主晶相陶瓷粉體或者主燒塊相陶瓷粉體是鈦酸鋇BT、鋯鈦酸鋇BTZ、鋯鈦酸鋇鈣BCTZ、鈦酸鍶鋇BST、鋯酸鍶鈣CSZ、鋯酸鍶鋇BSZ、鋯酸鈣CZ、鋯酸鋇BZ、鈦酸錫鋯ZST、鈦酸鎂MT、鈦酸鎂鋅ZMT、鈦酸鍶ST、鈦酸釹鋇BNT中的一種;
所述的改性金屬元素是Ba、Sr、Ca、Mg、Sn、Zn、Cu、Ni、Co、Fe、Mn、Cr、Sc、Sb、Zr、Ti、Al、Sc、Nb、Ta或稀土元素La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Y、Lu中的一種或幾種;
所述的助燒劑是B、Si、Li、Na、K、Bi、Sb、P、V、Zn、Cu一種或幾種的可溶性鹽或其溶膠。
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