[發明專利]一種可調電壓基準電源的制備方法有效
| 申請號: | 200810028786.2 | 申請日: | 2008-06-11 |
| 公開(公告)號: | CN101290868A | 公開(公告)日: | 2008-10-22 |
| 發明(設計)人: | 胥小平;張富啟;晏承亮;沓世我;賴小軍;黃海文 | 申請(專利權)人: | 廣東風華高新科技股份有限公司;肇慶風華新谷微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/78;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利代理有限公司 | 代理人: | 羅曉林 |
| 地址: | 526020廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 可調 電壓 基準 電源 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種可調電壓基準電源的制備方法。
技術背景
隨著電子產品朝輕薄化、數字化和多功能三大趨勢的發展,基準電源作為電子產品的重要部件,其地位也越來越高。目前,各種便攜式電子產品層出不窮。對基準電源提出了越來越高的要求。因而,提高電源效率、降低電源功耗、保證電源精度已經成為基準電源開發的重點。
但現有可調電壓基準電源制造工藝沒有達到客戶的要求,存在外形封裝尺寸不理想,電壓精度及對檔率未達標、輸出電壓范圍相對較窄、工作溫度無法滿足正常生產需要等不足。
發明內容
本發明提供可調電壓基準電源的制備方法,該方法通過材料的相關選擇及工藝參數的設定有機地結合起來,使產品比同類可調電壓基準電源在產品具有體積小,重量輕,外形封裝尺寸適合SMT安裝,電壓精度高,輸出電壓范圍寬,低輸出阻抗和低溫度系數的特點。
本發明的技術方案是:一種可調電壓基準電源的制備方法,該方法的實施步驟如下:(1)劃片;(2)粘片;(3)前固化;(4)壓焊;(5)塑封;(6)去溢料;(7)表面處理;(8)成型分離;(9)測試打標編帶;(10)包裝入庫。
所述劃片具體操作參數為:烘片加熱時間為1-3分鐘;烘片加熱溫度為95-105℃;劃片進刀速度為40-80毫米/秒;劃片旋轉軸轉速為28000-32000轉/分鐘;劃片刀高為50-60微米;純水電阻率為13-15兆歐·厘米;純水清洗時間為1-3分鐘;清洗時氮氣吹掃時間為1-2分鐘;
所述粘片具體操作參數為:粘片壓力為30-70克;芯片推力≥286.1克;
所述前固化包括四個階段,具體參數為:第一個階段溫度由25℃升至60℃,變化持續時間為15-25分鐘;第二個階段溫度由60℃升至175℃,變化持續時間為55-65分鐘;第三個階段溫度保持為170-180℃,溫度保持時間為35-45分鐘;第四個階段,溫度由第三階段所保持的溫度降至80℃,變化持續時間為55-65分鐘;
所述壓焊的金線拉力為≥4.0克;焊線溫度為230-250℃;
所述塑封具體操作參數為:模具溫度為165-175℃;合模壓力為30-60噸;固化時間為45-90秒;注塑壓力為1.2-2.0噸,注塑時間為5-15秒;
所述去溢料具體操作參數為:電解藥水溫度為55-65℃;藥水比重為6-8婆;噴水壓力為300-600千克;鋼帶速度為2.0-6.0米/分鐘;電解電流為150-300安;
所述表面處理具體操作參數為:電解除油比重為4.0-9.0婆;中和液比重為2.0-5.0婆;電鍍液中包括140-240克/升的游離酸和25-60克/升的二價錫和25-45克/升的添加劑;采用純錫無鉛工藝,錫層厚度為6-12微米。
所述測試打標編帶具體操作參數為:激光掃描速度為1200-1500毫米/秒;編帶溫度為230-270℃;編帶時間為120-180毫秒。
該可調電壓基準電源的制備方法中,芯片在溫度25℃-30℃時,符合如下測試條件:
(1)當陰極連續電流IK=10毫安,陰極電壓VKA=輸入基準電壓VREF時,在輸出精度為0.5%的情況下,輸入基準電壓VREF范圍為2.489-2.511伏;在輸出精度為1.0%的情況下,輸入基準電源VREF范圍為2.477-2.523伏;在輸出精度為1.5%的情況下,輸入基準電源VREF范圍為2.464-2.536伏;
(2)當陰極連續電流IK=10毫安,陰極電壓VKA=輸入基準電壓VREF時,在0℃≤TA≤70℃條件下,參考電壓變化率ΔVREF≤17毫伏;
(3)當陰極連續電流IK=10毫安,陰極電壓VKA為2.5-10伏時,陰極電壓對參考電壓變化率ΔVREF/ΔVKA的絕對值≤2.68毫伏/伏;當陰極連續電流IK=10毫安,陰極電壓VKA在10-36伏時,陰極電壓對參考電壓變化率ΔVREF/ΔVKA絕對值≤1.98毫伏/伏;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





