[發明專利]鋰電池充電器控制集成電路及其極性切換開關控制電路

無效

• 申請號: 200810028673.2
• 申請日: 2008-06-06
• 公開（公告）號: CN101309014A
• 公開（公告）日: 2008-11-19
• 發明（設計）人: 吳緯國;范建新
• 申請（專利權）人: 廣州南科集成電子有限公司
• 主分類號: H02J7/00
• 分類號: H02J7/00;H02H7/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種鋰電池充電器控制集成電路的極性切換開關控制電路，其特征在于：

包括鋰電池正極端口(BT+)、負極端口(BT-)、電源輸入端(VDD)、比較器(OP3)、第一反相器(I195)、第二反相器(I196)、第一P-MOSFET(P79)、第二P-MOSFET(P81)、第三P-MOSFET(P96)、第四P-MOSFET(P98)、第一N-MOSFET(N13)、第二N-MOSFET(N14)、第三N-MOSFET(N22)、第四N-MOSFET(N73)、和第五N-MOSFET(N74)，所述第一P-MOSFET(P79)、所述第二P-MOSFET(P81)的源極分別與所述電源輸入端(VDD)相連接，所述第四N-MOSFET(N73)、所述第五N-MOSFET(N74)的源極分別接地，所述正極端口(BT+)分別與所述第三N-MOSFET(N22)的柵極、所述第五N-MOSFET(N74)的漏極、所述第二P-MOSFET(P81)的漏極、所述比較器(OP3)的同相輸入端(+)相連接，所述負極端口(BT-)分別與所述第一N-MOSFET(N13)的柵極、所述第二N-MOSFET(N14)的柵極、所述第四N-MOSFET(N73)的漏極、所述第一P-MOSFET(P79)的漏極、所述比較器(OP3)的反相輸入端(-)相連接，所述第一反相器(I195)的輸入端與所述比較器(OP3)的輸出端相連接，所述第一反相器(I195)的輸出端與所述第二反相器(I196)的輸入端相連接，所述第一N-MOSFET(N13)的源極與所述正極端口(BT+)相連接，所述第一N-MOSFET(N13)的漏極與所述第一反相器(I195)的輸入端相連接，所述第二N-MOSFET(N14)的源極與所述正極端口(BT+)相連接，所述第二N-MOSFET(N14)的漏極與所述第四N-MOSFET(N73)的柵極相連接，所述第三N-MOSFET(N22)的源極與所述負極端口(BT-)相連接，所述第三N-MOSFET(N22)的漏極與所述第五N-MOSFET(N74)的柵極相連接，所述第三P-MOSFET(P96)的柵極與所述第一反相器(I195)的輸出端相連接，所述第四P-MOSFET(P98)的柵極與所述第二反相器(I196)的輸出端相連接，所述第三P-MOSFET(P96)的源極與所述第一P-MOSFET(P79)的柵極相連接，所述第三P-MOSFET(P96)的漏極與所述第四N-MOSFET(N73)的柵極相連接，所述第四P-MOSFET(P98)的源極與所述第二P-MOSFET(P81)的柵極相連接，所述第四P-MOSFET(P98)的漏極與所述第五N-MOSFET(N74)的柵極相連接。

2.一種鋰電池充電器控制集成電路，包括極性切換開關控制電路，其特征在于：所述極性切換開關控制電路包括鋰電池正極端口(BT+)、負極端口(BT-)、電源輸入端(VDD)、比較器(OP3)、第一反相器(I195)、第二反相器(I196)、第一P-MOSFET(P79)、第二P-MOSFET(P81)、第三P-MOSFET(P96)、第四P-MOSFET(P98)、第一N-MOSFET(N13)、第二N-MOSFET(N14)、第三N-MOSFET(N22)、第四N-MOSFET(N73)、和第五N-MOSFET(N74)，所述第一P-MOSFET(P79)、所述第二P-MOSFET(P81)的源極分別與所述電源輸入端(VDD)相連接，所述第四N-MOSFET(N73)、所述第五N-MOSFET(N74)的源極分別接地，所述正極端口(BT+)分別與所述第三N-MOSFET(N22)的柵極、所述第五N-MOSFET(N74)的漏極、所述第二P-MOSFET(P81)的漏極、所述比較器(OP3)的同相輸入端(+)相連接，所述負極端口(BT-)分別與所述第一N-MOSFET(N13)的柵極、所述第二N-MOSFET(N14)的柵極、所述第四N-MOSFET(N73)的漏極、所述第一P-MOSFET(P79)的漏極、所述比較器(OP3)的反相輸入端(-)相連接，所述第一反相器(I195)的輸入端與所述比較器(OP3)的輸出端相連接，所述第一反相器(I195)的輸出端與所述第二反相器(I196)的輸入端相連接，所述第一N-MOSFET(N13)的源極與所述正極端口(BT+)相連接，所述第一N-MOSFET(N13)的漏極與所述第一反相器(I195)的輸入端相連接，所述第二N-MOSFET(N14)的源極與所述正極端口(BT+)相連接，所述第二N-MOSFET(N14)的漏極與所述第四N-MOSFET(N73)的柵極相連接，所述第三N-MOSFET(N22)的源極與所述負極端口(BT-)相連接，所述第三N-MOSFET(N22)的漏極與所述第五N-MOSFET(N74)的柵極相連接，所述第三P-MOSFET(P96)的柵極與所述第一反相器(I195)的輸出端相連接，所述第四P-MOSFET(P98)的柵極與所述第二反相器(I196)的輸出端相連接，所述第三P-MOSFET(P96)的源極與所述第一P-MOSFET(P79)的柵極相連接，所述第三P-MOSFET(P96)的漏極與所述第四N-MOSFET(N73)的柵極相連接，所述第四P-MOSFET(P98)的源極與所述第二P-MOSFET(P81)的柵極相連接，所述第四P-MOSFET(P98)的漏極與所述第五N-MOSFET(N74)的柵極相連接。