[發明專利]薄膜電晶體之化學氣相沉積制作流程及其預沉積層構造有效
| 申請號： | 200810027829.5 | 申請日： | 2008-04-30 |
| 公開（公告）號： | CN101572272A | 公開（公告）日： | 2009-11-04 |
| 發明（設計）人： | 王志達 | 申請（專利權）人： | 深超光電（深圳）有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/00 |
| 代理公司： | 東莞市中正知識產權事務所 | 代理人： | 侯來旺 |
| 地址： | 518109廣東省深圳市寶安*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜 電晶體 化學 沉積 制作 流程 及其 構造 | ||
1.一種預沉積層構造，其主要包含有：一第一氮化硅層、一非晶硅層及一第二氮化硅層；其特征在于，該第一氮化硅層，形成于一制程腔室的一承載臺上；該非晶硅層，形成于該第一氮化硅層上；該第二氮化硅層，形成于該非晶硅層上。
2.根據權利要求1所述的預沉積層構造，其中，該第一氮化硅層、非晶硅層及第二氮化硅層總厚度小于200奈米。
3.根據權利要求2所述的預沉積層構造，其中，該第一氮化硅層、非晶硅層及第二氮化硅層之總厚度小于100奈米。
4.一種薄膜電晶體之化學氣相沉積制作流程，其特征在于，其主要步驟包含有：
將至少一基板由一治具傳送至一機臺的一載入腔室；
對該載入腔室抽真空至一預定壓力，該預定壓力介于0.2至3.0豪巴之間或1.0～2.0毫托耳(mTorr)之間；
將基板加熱至一預定溫度，該預定溫度介于攝氏100至400度之間；
對復數個制程腔室進行一預沉積之步驟，其中該預沉積步驟為先沉積一第一氮化硅層于各制程腔室的復數個承載臺上，再形成一非晶硅層于該第一氮化硅層上，最后形成一第二氮化硅層于該非晶硅層上；
將基板依序傳送至各制程腔室，并于各制程腔室分別進行薄膜電晶體之各沉積步驟；
將基板傳送至該載入腔室；及
進行破真空之步驟，并將基板傳送回該治具中。
5.根據權利要求4所述的制作流程，其中，該預定壓力以0.4至2.0豪巴之間或1.2～1.5毫托耳(mTorr)之間。
6.根據權利要求4所述的制作流程，其中，該第一氮化硅之沉積步驟包含有：
于各制程腔室導入氫化硅、氨氣、氫氣、一氧化二氮及氮氣；
于各制程腔室導入一電漿源射頻功率；及
形成該第一氮化硅層。
7.根據權利要求6所述的制作流程，其中，該電漿源射頻功率小于2000瓦。
8.根據權利要求4所述的制作流程，其中該非晶硅沉積步驟包含有：
于各制程腔室導入氫化硅、氨氣、氫氣、一氧化二氮及氮氣；
于各制程腔室導入一電漿源射頻功率；及
形成該非晶硅層。
9.根據權利要求8所述的制作流程，其中，該電漿源射頻功率小于2000瓦。
10.根據權利要求4所述的制作流程，其中，該第二氮化硅沉積步驟包含有：
于各制程腔室導入氫化硅、氨氣、氫氣、一氧化二氮及氮氣；
于各制程腔室導入一電漿源射頻功率；及
形成該第二氮化硅層。
11.根據權利要求10所述的制作流程，其中，該電漿源射頻功率小于2000瓦。
12.根據權利要求4所述的制作流程，其中，該預沉積步驟中，該第一氮化硅層、非晶硅層及第二氮化硅層之總厚度小于200奈米。
13.根據權利要求4所述的制作流程，其中，該第一氮化硅層、非晶硅層及第二氮化硅層之總厚度小于100奈米。
14.根據權利要求4所述的制作流程，其中，該制作流程尚包含有一各腔室的清洗步驟。
15.根據權利要求4所述的制作流程，其中該機臺為一批次型機臺。
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