[發(fā)明專利]一種電路基板上焊盤局部鍍錫方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810027133.2 | 申請日: | 2008-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN101252815A | 公開(公告)日: | 2008-08-27 |
| 發(fā)明(設計)人: | 尹向陽 | 申請(專利權)人: | 廣州金升陽科技有限公司 |
| 主分類號: | H05K3/34 | 分類號: | H05K3/34 |
| 代理公司: | 廣州知友專利商標代理有限公司 | 代理人: | 宣國華 |
| 地址: | 510665廣東省廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 路基 板上焊盤 局部 鍍錫 方法 | ||
1.?一種電路基板上焊盤局部鍍錫方法,其特征在于:通過鋼網將無鉛錫漿刷到電路基板的點焊位焊盤上;刷好無鉛錫漿的電路基板依次經過回流焊機設定工作參數的五個區(qū)域,形成充滿整個點焊位焊盤的液態(tài)鍍錫層,電路基板冷卻后,在點焊位焊盤上形成固態(tài)鍍錫層。
2.?根據權利要求1所述的電路基板上焊盤局部鍍錫方法,其特征在于:所述回流焊機設定工作參數的五個區(qū)域依次分布于回流焊機的入口與出口之間,分別為升溫區(qū)A、預熱區(qū)B、浸潤區(qū)C、熔錫區(qū)D及冷卻區(qū)E,升溫區(qū)A的溫度逐漸上升至100℃,預熱區(qū)B的溫度為100℃至150℃,浸潤區(qū)C的溫度為150℃至220℃,熔錫區(qū)D的溫度從220℃上升至235℃與240℃之間、再回降至220℃,接著進入冷卻區(qū)E。
3.?根據權利要求1所述的電路基板上焊盤局部鍍錫方法,其特征在于:所述冷卻方式采用自然冷卻或者風冷。
4.?根據權利要求1所述的電路基板上焊盤局部鍍錫方法,其特征在于:所述鋼網包括中心鋼片、與中心鋼片周邊連接的框架,所述中心鋼片上設有多組分別對應于基板上所有焊盤組的通孔框,每個通孔框形狀及大小與其對應的點焊位焊盤的形狀、大小相同,所述通孔框上均勻分布至少兩個通孔。
5.?根據權利要求4所述的電路基板上焊盤局部鍍錫方法,其特征在于:所述通孔框上通孔的總面積與其對應點焊位焊盤面積比是1/2~2/3。
6.?根據權利要求5所述的電路基板上焊盤局部鍍錫方法,其特征在于:所述通孔的形狀為正方形、長方形或者圓形。
7.?根據權利要求4或5或6所述的電路基板上焊盤局部鍍錫方法,其特征在于:所述中心鋼片厚度是0.1~0.2mm。
8.?根據權利要求1所述的電路基板上焊盤局部鍍錫方法,其特征在于:所述冷卻后的固態(tài)鍍錫層厚度為20~25微米。
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