[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光元件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810027087.6
• 申請(qǐng)日: 2008-03-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101546795A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-09-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張簡(jiǎn)千琳;蘇宏元;林貞秀
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 旭麗電子(廣州)有限公司;光寶科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，包含：

一殼體，具有一基壁，及一由該基壁的上表面周緣往上凸伸的周壁，在該基壁中央處形成有一穿孔，該基壁與該周壁共同界定一凹槽，且圍繞該凹槽的壁面為一漫射面；

一導(dǎo)熱體，設(shè)于該基壁的下表面?zhèn)龋以搶?dǎo)熱體的部分區(qū)域位于該穿孔底側(cè)，使該穿孔處形成一內(nèi)槽；

一半導(dǎo)體芯片，設(shè)于該導(dǎo)熱體上并位于該內(nèi)槽中；

一封裝膠體，覆蓋于該半導(dǎo)體芯片上，并充滿該內(nèi)槽及該凹槽；及

一熒光層，覆蓋于該封裝膠體表面；

其中，該殼體還具有一由該基壁的上表面沿該穿孔周緣往上凸伸的凸部，并使該內(nèi)槽往上延伸。

2.依據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，該殼體還具有一由該基壁的部分下表面往內(nèi)凹陷而成的凹部，該凹部的范圍涵蓋該穿孔的區(qū)域，且該導(dǎo)熱體嵌設(shè)于該凹部處。

3.依據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于還包含一設(shè)于該殼體上且未與該導(dǎo)熱體接觸的導(dǎo)線架，用以使該半導(dǎo)體芯片與一外部電路電連接。

4.依據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，該封裝膠體的折射率小于或等于該熒光層的折射率。

5.依據(jù)權(quán)利要求1或4所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，該封裝膠體的折射率小于或等于該半導(dǎo)體芯片的折射率。

6.依據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，該封裝膠體包括一位于該內(nèi)槽中的內(nèi)層及一位于該內(nèi)槽外的外層，且該外層的折射率小于該熒光層的折射率。

7.依據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，該封裝膠體包括一位于該內(nèi)槽中的內(nèi)層及一位于該內(nèi)槽外的外層，且該外層的折射率小于該內(nèi)層的折射率。

8.依據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，該內(nèi)層的折射率小于或等于該半導(dǎo)體芯片的折射率。

9.依據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，該穿孔呈方形。

10.依據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，該封裝膠體由具有高穿透性的透光材料所制成。

11.依據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，該透光材料選自環(huán)氧樹脂或硅膠。

12.依據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，圍繞該凹槽的壁面為粗糙表面以形成該漫射面。

13.依據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，該半導(dǎo)體芯片發(fā)出的光線，入射該漫射面產(chǎn)生反射光的反射率中，漫射率大于鏡射率。

14.依據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，該半導(dǎo)體芯片為發(fā)光二極管。

15.依據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，該殼體由具有官能基的材料所制成，該官能基選自環(huán)氧基、C1-C6烷基、苯基或胺基中的至少一者。