[發(fā)明專利]個性化舌側(cè)正畸托槽的選區(qū)激光燒結(jié)間接制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810026490.7 | 申請日: | 2008-02-27 |
| 公開(公告)號: | CN101284302A | 公開(公告)日: | 2008-10-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王淑范;楊永強(qiáng);程大偉 | 申請(專利權(quán))人: | 華南理工大學(xué) |
| 主分類號: | B22C9/04 | 分類號: | B22C9/04;G05B19/4097;A61C7/14;A61B6/14 |
| 代理公司: | 廣州市華學(xué)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 李衛(wèi)東;羅觀祥 |
| 地址: | 510640廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 個性化 舌側(cè)正畸托槽 選區(qū) 激光 燒結(jié) 間接 制造 方法 | ||
1、個性化舌側(cè)正畸托槽的選區(qū)激光燒結(jié)間接制造方法,其特征在于包括以下步驟:
(1)測量齒系數(shù)據(jù),獲得牙齒的外形結(jié)構(gòu)參數(shù);
(2)根據(jù)所述齒系數(shù)據(jù),采用反求工程的方法建立牙齒的三維CAD模型并存儲于計算機(jī)中;
(3)根據(jù)正畸的要求、托槽制作材料和牙齒的形狀特征,設(shè)計各個托槽的結(jié)構(gòu)模型;所述托槽的結(jié)構(gòu)模型設(shè)計包括設(shè)計托槽與牙齒表面接觸的底板,以及根據(jù)各個托槽的理想放置位置確定托槽的槽溝;
(4)根據(jù)托槽的結(jié)構(gòu)模型及熔模鑄造的要求,利用選區(qū)激光燒結(jié)技術(shù),采用分層制造的方法制造托槽所需的熔模;
(5)采用熔模鑄造的方法制造出托槽;
(6)根據(jù)臨床需求,對成型后的托槽做表面處理。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述個性化舌側(cè)正畸托槽的選區(qū)激光燒結(jié)間接制造方法,其特征在于:所述齒系數(shù)據(jù)的測量采用CT斷層掃描或非接觸的三維掃描儀直接掃描牙齒,或者首先制取牙齒的模型再進(jìn)行三維掃描測量,所述掃描精度優(yōu)于0.02mm。
3、根據(jù)權(quán)利要求1所述個性化舌側(cè)正畸托槽的選區(qū)激光燒結(jié)間接制造方法,其特征在于:步驟(2)所述牙齒的三維CAD模型的存儲格式為STL格式。
4、根據(jù)權(quán)利要求1所述個性化舌側(cè)正畸托槽的選區(qū)激光燒結(jié)間接制造方法,其特征在于:步驟(4)所述分層制造的方法是指通過計算機(jī)對設(shè)計的熔模的三維模型進(jìn)行分層切片,得到各層截面的二維輪廓信息,根據(jù)所述二維輪廓信息通過上位機(jī)控制快速成型設(shè)備燒結(jié)成型蠟質(zhì)的托槽模型。
5、根據(jù)權(quán)利要求1所述個性化舌側(cè)正畸托槽的選區(qū)激光燒結(jié)間接制造方法,其特征在于:所述熔模鑄造方法,其工序包括有結(jié)殼、脫蠟、焙燒和澆注脫殼,經(jīng)拋光修正后成為臨床個性化舌側(cè)托槽。
6、根據(jù)權(quán)利要求1~5任一項所述個性化舌側(cè)正畸托槽的選區(qū)激光燒結(jié)間接制造方法,其特征在于:所述分層厚度為50~100μm,并采用層間累計誤差補(bǔ)償方式控制制造精度為10~20μm。
7、根據(jù)權(quán)利要求6所述個性化舌側(cè)正畸托槽的選區(qū)激光燒結(jié)間接制造方法,其特征在于:所述托槽底板的厚度為0.4mm以下。
8、根據(jù)權(quán)利要求7所述個性化舌側(cè)正畸托槽的選區(qū)激光燒結(jié)間接制造方法,其特征在于:所述鑄造的托槽制造材料包括牙科金、鈦合金、鈷鉻合金或不銹鋼。
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