[發明專利]采用磷埋技術的薄外延的集成注入邏輯的制作工藝

有效

• 申請號: 200810025560.7
• 申請日: 2008-04-29
• 公開（公告）號: CN101276785A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發明（設計）人: 聶衛東;易法友;陳東勤
• 申請（專利權）人: 無錫友達電子有限公司
• 主分類號: H01L21/8222
• 分類號: H01L21/8222;H01L21/331;H01L21/76
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司
• 代理人: 葉連生

1.一種采用磷埋技術的薄外延淺結集成注入邏輯的制作方法，其特征在于該方法具體如下：

a.投料：P型，晶向<100>，

b.銻埋光刻、腐蝕：刻出I²L區域的銻埋窗口，

c.銻埋注入：注入能量60KeV，注入劑量2.0E15～2.6E15；雜質為銻，將I²L區域注入銻，

d.銻埋退火：退火條件為1200℃，300分鐘N₂+120分鐘O₂，

e.磷埋光刻、腐蝕：刻出I²L區域的磷埋窗口，此處采用I²L的P阱版，

f.磷埋注入：注入能量130～150KeV，注入劑量3.5E14～4.5E14；雜質為磷，將I²L的P阱正下方的區域注入磷，

g.硼埋光刻、注入：注入區域為外圍用來形成隔離的區域，

h.硼埋退火：退火條件1200℃25～35分鐘N₂，

i.外延：N型外延，厚度3.5～5.0μm，電阻率0.7～0.8Ω·cm，

j.P阱光刻、注入：注入區域為I²L的基區，注入能量為130～150KeV，劑量為3.5E12～5.5E12，雜質為硼，此注入形成I²L的基區，

k.深磷光刻、注入：注入區域為I²L的發射區，注入能量為50～70KeV，劑量為8E15～1E16，雜質為磷，此注入形成I²L的側向的發射區，

l.深磷退火：1150℃，70～80分鐘N₂，

m.隔離光刻、注入：注入區域為外圍用來形成隔離的區域，此注入與先前的硼埋一起形成隔離，

n.隔離退火：1100℃40～50分鐘N₂，

o.濃硼光刻、注入：注入區域為I²L基區周圍一圈，用來形成I²L基區的歐姆接觸區，注入能量為50～70KeV，劑量為2.5E14～6.5E14，雜質為硼，

p.基區退火：980℃～1000℃，25～35分鐘N₂，

q.發射區光刻、注入：注入區域為I²L的發射區、集電區，注入能量為60KeV～80KeV，劑量為4E15～6E15，雜質為磷，此注入形成I²L的側向的集電區及發射區的歐姆接觸，

r.發射區退火：880℃～910℃，20～30分鐘N₂，

s.接觸孔光刻、腐蝕：采用干法+濕法的方法刻蝕，以形成良好的表面狀態，

t.一鋁濺射：0.6～1.0μm?Al-Si，

u.壓點光刻，刻蝕：刻出壓點區域。