[發明專利]近場光學增強型納米陣列通光孔激光器無效
| 申請號： | 200810025450.0 | 申請日： | 2008-04-30 |
| 公開（公告）號： | CN101282022A | 公開（公告）日： | 2008-10-08 |
| 發明（設計）人： | 李海軍;王敏銳;張曉東;張寶順 | 申請（專利權）人： | 蘇州納米技術與納米仿生研究所 |
| 主分類號： | H01S5/00 | 分類號： | H01S5/00;H01S5/028;B82B1/00 |
| 代理公司： | 南京蘇科專利代理有限責任公司 | 代理人： | 陳忠輝 |
| 地址： | 215125江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 近場 光學 增強 納米 陣列 通光孔 激光器 | ||
【權利要求書】：
1.近場光學增強型納米陣列通光孔激光器，其特征在于：在半導體激光器的出光端面鍍有金屬薄膜層，在金屬薄膜層上制作有納米孔陣列，納米孔陣列的周圍具有光柵結構。
2.根據權利要求1所述的近場光學增強型納米陣列通光孔激光器，其特征在于：所述金屬薄膜層的材質為金、或銀、或鋁、或鉻，金屬薄膜層的厚度在20～300nm。
3.根據權利要求1所述的近場光學增強型納米陣列通光孔激光器，其特征在于：所述納米孔陣列的形狀為方形、或圓形、或橢圓形、或半圓形、或雙C形、或雙三角形，其數量為2～10個。
4.根據權利要求3所述的近場光學增強型納米陣列通光孔激光器，其特征在于：所述的納米孔陣列排列成三角形、或圓形、或多邊形、或環形。
5.根據權利要求1所述的近場光學增強型納米陣列通光孔激光器，其特征在于：所述光柵結構的光柵周期為10～200nm，光柵圍繞納米孔排列成圓形、或半圓形、或多邊形、或C形。
6.根據權利要求1所述的近場光學增強型納米陣列通光孔激光器，其特征在于：所述的半導體激光器為邊發射半導體激光器或面發射半導體激光器。
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