[發(fā)明專利]硅太陽能電池清洗刻蝕、干燥工藝及其設(shè)備無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810025446.4 | 申請日： | 2008-04-30 |
| 公開（公告）號： | CN101276856A | 公開（公告）日： | 2008-10-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 曾春紅;王敏銳;張寶順 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;B08B3/12 |
| 代理公司： | 南京蘇科專利代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 陳忠輝 |
| 地址： | 215125江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 太陽能電池 清洗 刻蝕 干燥 工藝 及其 設(shè)備 | ||
1.硅太陽能電池清洗刻蝕、干燥工藝，其特征在于：具體包括以下步驟——
①兆聲波槽式清洗：利用兆聲在去離子水中產(chǎn)生O3，并在去離子水中添加HF，HF濃度為2～5％，在常溫下進行清洗；
②將硅片放入去離子水中進行超聲清洗，其中兆聲波頻率為1MHZ以上，功率50～600W可調(diào)；
③通過以上清洗后，在硅片被抬出液面時進行干燥處理，干燥槽的上方安裝有N2的噴嘴，使硅片被抬出水面后就與高濃度的N2直接接觸，采用含有飽和IPA的N2進行干燥處理，然后裝片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅太陽能電池清洗刻蝕、干燥工藝，其特征在于：步驟①兆聲波槽式清洗，其中O3的溶解度在10ppm以上，清洗溫度控制在23℃。
3.硅太陽能電池清洗刻蝕、干燥的設(shè)備，其特征在于：包括兆聲清洗槽、去離子水清洗槽及裝片臺，兆聲清洗槽、去離子水清洗槽及裝片臺三者呈并排布置，其中，兆聲清洗槽配置有兆聲波發(fā)生裝置，去離子水清洗槽配置有超聲裝置，兆聲清洗槽上方和去離子水清洗槽上方分別安裝有清洗籃升降裝置，兩升降裝置與橫移裝置驅(qū)動連接，另外，在去離子水清洗槽上方還安裝有N2氣氛裝置。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
