[發(fā)明專利]LCD高壓驅(qū)動(dòng)電路的偽外延高壓結(jié)構(gòu)的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810025005.4
• 申請(qǐng)日: 2008-04-29
• 公開（公告）號(hào): CN101271865A
• 公開（公告）日: 2008-09-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張繼;劉明峰;肖志強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無錫中微晶園電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8234
• 分類號(hào): H01L21/8234
• 代理公司: 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 曹祖良

LCD高壓驅(qū)動(dòng)電路的偽外延高壓結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征是：

步驟一，材料準(zhǔn)備，圓片(1)使用普通單晶硅N<100>材料片；

步驟二，制造掩蔽層，在圓片(1)的上面生長(zhǎng)熱氧化層(3)作為掩蔽層后，進(jìn)行N型雜質(zhì)P₃₁離子注入；

步驟三，推結(jié)，在圓片(1)的下面形成N-摻雜層的偽外延層(2)；

步驟四，再進(jìn)行阱光刻，使用光刻膠(4)將圓片(1)的非阱區(qū)保護(hù)起來；

步驟五，阱注入，對(duì)圓片(1)上的阱區(qū)注入B₁₁離子摻雜；

步驟六，推阱，氧化擴(kuò)散推結(jié)，溫度1100～1200℃，時(shí)間6～9小時(shí)，使注入在阱區(qū)的B₁₁離子雜質(zhì)擴(kuò)散，在圓片(1)內(nèi)形成深P阱(5)；

步驟七，制造有源區(qū)掩蔽層，通過氧化在整個(gè)圓片(1)的表面生長(zhǎng)熱氧化層(3)，在熱氧化層(3)表面淀積氮化硅層(20)，形成有源區(qū)的掩蔽層；

步驟八，有源區(qū)光刻，使用光刻膠將有源區(qū)保護(hù)起來；

步驟九，有源區(qū)刻蝕，利用干法刻蝕無光刻膠保護(hù)區(qū)域的氮化硅層(20)；

步驟十，再進(jìn)行場(chǎng)氧化層的生長(zhǎng)，使有源區(qū)外的場(chǎng)隔離熱氧化層(3)生長(zhǎng)500～1000nm；

步驟十一，再犧牲氧化，氧化生長(zhǎng)熱氧化層(3)，使有源區(qū)內(nèi)的熱氧化層厚度約10～50nm；

步驟十二，高壓N管深結(jié)光刻，使用光刻膠將深P阱內(nèi)的高壓N管深N-漂移區(qū)域(10)以外的區(qū)域保護(hù)起來；

步驟十三，高壓N管深結(jié)注入，在深N-漂移區(qū)注入P₃₁離子摻雜；

步驟十四，高壓N管深結(jié)推結(jié)，以形成高壓N管深N-漂移區(qū)(10)；

步驟十五，對(duì)高壓N管淺結(jié)光刻，使用光刻膠將深P阱內(nèi)高壓N管淺N-漂移區(qū)(11)以外區(qū)域保護(hù)起來；

步驟十六，高壓N管淺結(jié)注入，進(jìn)行淺N-漂移區(qū)P₃₁離子注入摻雜；

步驟十七，高壓N管淺結(jié)推結(jié)，以形成高壓N管淺N-漂移區(qū)(11)；

步驟十八，高壓P管光刻，使用光刻膠將襯底材料(1)上高壓P管P-漂移區(qū)(12)以外區(qū)域保護(hù)起來；

步驟十九，高壓P管注入，進(jìn)行P-漂移區(qū)B₁₁離子注入摻雜；

步驟二十，再對(duì)高壓P管推結(jié)，以形成高壓P管P-漂移區(qū)(12)；

步驟二十一，表面漂洗，使用HF酸將犧牲氧化層約10～50nm的氧化層漂盡；

步驟二十二，柵氧生長(zhǎng)，氧化生長(zhǎng)熱氧化層(3)，有源區(qū)內(nèi)厚度熱氧化層約15～60nm；

步驟二十三，多晶淀積，以低壓氣相淀積方式在整個(gè)圓片表面形成多晶層(7)；

步驟二十四，多晶光刻，使用光刻膠將多晶層(7)用于形成多晶柵及多晶連線的區(qū)域保護(hù)起來；

步驟二十五，多晶刻蝕，用干法刻蝕去除多晶層無光刻膠保護(hù)區(qū)域的多晶，形成多晶柵及多晶連線；

步驟二十六，形成N+源漏模塊，在圓片(1)上進(jìn)行光刻，使用光刻膠將深P阱內(nèi)高壓N管和低壓N管多晶層(7)柵兩側(cè)有源區(qū)中心的N+源漏以外的區(qū)域保護(hù)起來；再進(jìn)行離子注入，將P₃₁離子摻雜進(jìn)相應(yīng)N+源漏區(qū)域內(nèi)；再推結(jié)，通過氧化擴(kuò)散形成N+源漏高摻雜區(qū)(8)；

步驟二十七，形成P+源漏模塊，在圓片(1)上進(jìn)行光刻，使用光刻膠將圓片襯底內(nèi)的高壓P管和低壓P管多晶層(7)的柵兩側(cè)的有源區(qū)中心的P+源漏以外的區(qū)域保護(hù)起來；再進(jìn)行離子注入，將B₁₁離子摻雜進(jìn)相應(yīng)的P+源漏區(qū)域內(nèi)；再推結(jié)，通過氧化擴(kuò)散形成P+源漏高摻雜區(qū)(9)。