[發明專利]絕緣導熱金屬基板上真空濺鍍形成導電線路的方法

有效

• 申請號: 200810024708.5
• 申請日: 2008-04-29
• 公開（公告）號: CN101572996A
• 公開（公告）日: 2009-11-04
• 發明（設計）人: 吳政道
• 申請（專利權）人: 漢達精密電子（昆山）有限公司
• 主分類號: H05K3/10
• 分類號: H05K3/10;H05K3/16;C23C14/34;C23C14/02;C23C14/14;C23C14/54;C23F1/16
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1.一種絕緣導熱金屬基板上真空濺鍍形成導電線路的方法，其特征在于包 括以下步驟：

(1)提供一金屬基材；

(2)將金屬基材進行前處理，以使金屬基材的表面清潔；

(3)將經前處理的金屬基材配置于一真空腔體內；

(4)將惰性氣體通入該腔體中，啟動濺鍍不銹鋼靶材，進行離子沖擊并植入不銹 鋼；

(5)同步調整不銹鋼靶材的電流密度及基板偏壓，關閉不銹鋼靶材的電流；

(6)將惰性氣體通入該腔體中，啟動濺鍍鋁靶材，并逐步通入氮氣，生成氮化鋁 薄膜；

(7)于生成有氮化鋁薄膜的金屬基材的外層濺鍍上金屬導電層與金屬防護層；

(8)抗蝕刻膜遮罩電路圖的導體部分，蝕刻去除非導體部分，再脫去抗蝕刻膜；

(9)印刷液態感光防焊油墨。

2.根據權利要求1所述的絕緣導熱金屬基板上真空濺鍍形成導電線路的方 法，其特征在于：該金屬基材的材質為不銹鋼。

3.根據權利要求1所述的絕緣導熱金屬基板上真空濺鍍形成導電線路的方 法，其特征在于：該金屬基材的材質為銅。

4.根據權利要求1所述的絕緣導熱金屬基板上真空濺鍍形成導電線路的方 法，其特征在于：該金屬基材在進入腔體前已經過前處理，前處理包括脫脂， 酸洗，清洗。

5.根據權利要求1所述的絕緣導熱金屬基板上真空濺鍍形成導電線路的方 法，其特征在于：步驟(3)中腔體內的氣壓為10^-5torr。

6.根據權利要求1所述的絕緣導熱金屬基板上真空濺鍍形成導電線路的方 法，其特征在于：步驟(4)中腔體內的氣壓維持在1～3x10^-3torr。

7.根據權利要求1所述的絕緣導熱金屬基板上真空濺鍍形成導電線路的方 法，其特征在于：步驟(6)中腔體內惰性氣體的氣壓維持在1～3x10^-3torr，氮氣 的氣壓維持在1～3x10^-3torr。

8.根據權利要求1所述的絕緣導熱金屬基板上真空濺鍍形成導電線路的方 法，其特征在于：啟動濺鍍不銹鋼靶材時，需將基板負偏壓控制在-300～ -600Volt，并將不銹鋼靶材的電流密度控制在0.1～1W/cm²，進行離子沖擊并植 入不銹鋼的時間為3～10min。

9.根據權利要求1所述的絕緣導熱金屬基板上真空濺鍍形成導電線路的方 法，其特征在于：關閉不銹鋼靶材的電流前1～3min，需將不銹鋼靶材的電流密 度控制在5～15W/cm²，基板偏壓調整在20～60Volt。

10.根據權利要求1所述的絕緣導熱金屬基板上真空濺鍍形成導電線路的方 法，其特征在于：通入氮氣前1～3min，需將基板負偏壓調整至20～60Volt， 并將鋁靶材的電流密度控制在5～15W/cm²。

11.根據權利要求1所述的絕緣導熱金屬基板上真空濺鍍形成導電線路的方 法，其特征在于：當氮化鋁薄膜層的厚度為3～5μm時，關閉鋁靶材的電流。

12.根據權利要求1所述的絕緣導熱金屬基板上真空濺鍍形成導電線路的方 法，其特征在于：步驟(7)中濺鍍金屬導電層的步驟包括，將生成有氮化鋁薄膜 的金屬基材置入一真空腔內，抽真空至10^-5torr后，通入氬氣維持在1～ 3x10^-3torr，啟動基板負偏壓在-300～-600Volt，此時啟動濺鍍銅靶材，控制濺 鍍靶材的電流密度在0.1～1W/cm²，進行鍍銅，銅膜厚度控制在0.5～5μm。