[發(fā)明專利]絕緣導熱金屬基板上真空濺鍍形成導電線路的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810024703.2
• 申請日: 2008-04-29
• 公開（公告）號: CN101573001A
• 公開（公告）日: 2009-11-04
• 發(fā)明（設計）人: 吳政道
• 申請（專利權）人: 漢達精密電子（昆山）有限公司
• 主分類號: H05K3/16
• 分類號: H05K3/16;C23C14/34;C23C14/16;C23C14/02;C23C14/54;C23C8/24;C23F1/02;C23F1/16
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1.一種絕緣導熱金屬基板上真空濺鍍形成導電線路的方法，其特征在于包 括以下步驟：

(1)提供一金屬基材；

(2)將金屬基材進行前處理，以使金屬基材的表面清潔；

(3)將經前處理的金屬基材配置于一真空腔體內；

(4)將惰性氣體通入該腔體中，啟動濺鍍鋁靶材，進行離子沖擊并植入鋁；

(5)調整鋁靶材的電流密度及基板偏壓，并逐步通入氮氣，生成氮化鋁薄膜， 關閉不銹鋼靶材的電流；

(6)于生成有氮化鋁薄膜的金屬基材的外層濺鍍上金屬導電層與金屬防護 層；

(7)抗蝕刻膜屏蔽電路圖的導體部分，蝕刻去除非導體部分，再脫去抗蝕刻 膜；

(8)印刷液態(tài)感光防焊油墨。

2.根據(jù)權利要求1所述的絕緣導熱金屬基板上真空濺鍍形成導電線路的方 法，其特征在于：該金屬基材的材質為鋁合金。

3.根據(jù)權利要求1所述的絕緣導熱金屬基板上真空濺鍍形成導電線路的方 法，其特征在于：該金屬基材在進入腔體前已經過前處理，前處理包括脫脂， 酸洗，清洗。

4.根據(jù)權利要求1所述的絕緣導熱金屬基板上真空濺鍍形成導電線路的方 法，其特征在于：步驟(3)中腔體內的氣壓為10^-5torr。

5.根據(jù)權利要求1所述的絕緣導熱金屬基板上真空濺鍍形成導電線路的方 法，其特征在于：步驟(4)中腔體內的氣壓維持在1～3×10^-3torr。

6.根據(jù)權利要求1所述的絕緣導熱金屬基板上真空濺鍍形成導電線路的方 法，其特征在于：步驟(4)中基板負偏壓控制在-300～-600Volt，鋁靶材的電 流密度控制在0.1～1W/cm²，進行離子沖擊并植入鋁的時間為3～10min。

7.根據(jù)權利要求1所述的絕緣導熱金屬基板上真空濺鍍形成導電線路的方 法，其特征在于：步驟(5)中氮氣的分壓維持在1～3×10^-3torr。

8.根據(jù)權利要求1所述的絕緣導熱金屬基板上真空濺鍍形成導電線路的方 法，其特征在于：關閉鋁靶材的電流前1～3min，需將鋁靶材的電流密度控制在 5～15W/cm²，基板偏壓調整在20～60Volt。

9.根據(jù)權利要求1所述的絕緣導熱金屬基板上真空濺鍍形成導電線路的方 法，其特征在于：當?shù)X薄膜層的厚度為3～5μm時，關閉鋁靶材的電流。

10.根據(jù)權利要求1所述的絕緣導熱金屬基板上真空濺鍍形成導電線路的方 法，其特征在于：步驟(6)中濺鍍金屬導電層的步驟包括，將生成有氮化鋁薄膜 的金屬基材置入一真空腔內，抽真空至10^-5torr后，通入氬氣維持在1～ 3×10^-3torr，啟動基板負偏壓在-300～-600Volt，此時啟動濺鍍銅靶材，控制濺 鍍靶材的電流密度在0.1～1W/cm²，進行鍍銅，銅膜厚度控制為0.5～5μm。

11.根據(jù)權利要求10所述的絕緣導熱金屬基板上真空濺鍍形成導電線路的 方法，其特征在于：步驟(6)中濺鍍金屬防護層的步驟包括，將濺鍍有銅膜的金 屬基材置入另一真空腔，通入氬氣維持在1～3×10^-3torr，此時啟動濺鍍金靶材， 控制濺鍍靶材的電流密度在0.1～1W/cm²，進行鍍金，金膜厚度控制為0.1～ 1μm。

12.根據(jù)權利要求10所述的絕緣導熱金屬基板上真空濺鍍形成導電線路的 方法，其特征在于：步驟(6)中濺鍍金屬防護層的步驟包括，將濺鍍有銅膜的金 屬基材置入另一真空腔，通入氬氣維持在1～3×10^-3torr，此時啟動濺鍍鎳金靶 材，控制濺鍍靶材的電流密度在0.1～1W/cm²，鍍上鎳金薄膜，鎳金薄膜的厚度 控制為0.1～1μm。