[發明專利]實現金剛石膜球冠制備過程中基體均溫的方法及裝置

無效

• 申請號: 200810024384.5
• 申請日: 2008-06-11
• 公開（公告）號: CN101285176A
• 公開（公告）日: 2008-10-15
• 發明（設計）人: 左敦穩;李多生;盧文壯;陳榮發;孫業斌
• 申請（專利權）人: 南京航空航天大學
• 主分類號: C23C16/27
• 分類號: C23C16/27;C23C16/52
• 代理公司: 南京天華專利代理有限責任公司
• 代理人: 瞿網蘭

1、?一種實現金剛石膜球冠制備過程中基體均溫的方法，其特征是：

首先，將需沉積金剛石膜球冠的基體置于一導熱性能好的銅質基座上；

其次，在所述的銅質基座中設立循環冷卻水道，并控制與基體相接觸的基座壁的厚度，使所述基座壁的厚度與基體的溫度分布成反比，即基體上溫度越高的位置處所對應的基座的壁厚越小，以使基體溫度高處的熱量能更多地通過基座壁傳導而被循環冷卻水帶走；

最后，在沉積過程中，連續向所述的循環冷卻水道中注入冷卻水，使基體的沉積面的溫差控制在0.6％～1.5％之間。

2、?根據權利要求1所述的實現金剛石膜球冠制備過程中基體均溫的方法，其特征是所述的與基體相接觸處的銅質基底壁或呈階梯圓環結構，或呈球面結構，所述的階梯圓環結構的包絡面及球面結構與基體的沉積面形狀相匹配，即它們或同為凹面結構，或同為凸面結構。

3、?根據權利要求2所述的實現金剛石膜球冠制備過程中基體均溫的方法，其特征所述銅質基座的底壁上設有五個寬度相等的圓環狀階梯，五個階梯的高度分別為h1＝0.0004R+1.3563，h2＝-0.0001R²+0.0046R+1.8674，h3＝-0.0051R+2.8717，h4＝-0.0027R+3.9076，h5＝0.0001R²-0.0118R+5.1713，其中R為沉積體表面曲率半徑；如果沉積基體的表面為上凸形，則h1是指銅質基座底壁中心臺階的高度，如果沉積基體的表面為下凹形，則h1是指銅質基座底壁最外圓的臺階的高度。

4、?一種實現金剛石膜球冠制備過程中基體均溫的裝置，包括銅質基座(6)，銅質基座(6)的上表面與沉積基體(1)的下表面相接觸，其特征是所述的銅質基座(6)為一中空的結構，其中安裝有循環水分配體(2)，循環水分配體(2)上設有進水孔(3)和出水孔(4)，在銅質基座(6)和循環水分配體(2)之間形成有冷卻水腔(5)，冷卻水腔(5)的與沉積基體(1)相接觸的底壁或呈階梯結構或呈球面結構，且底厚的厚度分布與沉積基體上表面溫度分布成反比，即沉積基體上表面溫度越高的區域，其對應處的壁厚越小。

5、?根據權利要求4所述的實現金剛石膜球冠制備過程中基體均溫的裝置，其特征是所述的冷卻水腔(5)的底壁設有五個等寬的圓環狀階梯，五個圓環狀階梯的高度分別為h1＝0.0004R+1.3563，h2＝-0.0001R²+0.0046R+1.8674，h3＝-0.0051R+2.8717，h4＝-0.0027R+3.9076，h5＝0.0001R²-0.0118R+5.1713，其中R為沉積體表面曲率半徑；如果沉積基體(1)的表面為上凸形，則h1是指銅質基座底壁中心臺階的高度，如果沉積基體(1)的表面為下凹形，則h1是指銅質基座底壁最外圓的臺階的高度。