[發明專利]一種半導體材料上的光刻標記及其制作方法

無效

• 申請號: 200810024289.5
• 申請日: 2008-06-02
• 公開（公告）號: CN101320215A
• 公開（公告）日: 2008-12-10
• 發明（設計）人: 柏松;馮忠;陳剛;蔣幼泉
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第五十五研究所
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F9/00
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所
• 代理人: 柏尚春

1、一種半導體材料上的光刻標記，具有陡直的溝槽，其特征在于光刻標記表面有一層50～300nm厚的難熔金屬膜。

2、根據權利要求1所述的半導體材料上的光刻標記，其特征在于所述難熔金屬材料為鎢或鎢氮。

3、根據權利要求1所述的半導體材料上的光刻標記，其特征在于所述半導體材料為低反射率半導體材料或高反射率半導體材料。

4、根據權利要求3所述的半導體材料上的光刻標記，其特征在于所述低反射率半導體材料為碳化硅晶片，或碳化硅襯底上生長了一層或者多層碳化硅薄膜的外延片，或碳化硅襯底上生長了氮化鎵薄膜、或AlGaN薄膜、或氮化鋁薄膜的一層或者多層外延片，或藍寶石襯底上生長了氮化鎵薄膜、或AlGaN薄膜、或氮化鋁薄膜的一層或者多層外延片。

5、根據權利要求3所述的半導體材料上的光刻標記，其特征在于所述高反射率半導體材料為硅或砷化鎵。

6、一種制備權利要求1所述的半導體材料上的光刻標記的方法，其特征在于該方法包括如下步驟：

(1)利用第一層光敏薄膜在半導體材料表面形成光刻標記圖形；

(2)利用第一層光敏薄膜作掩模對半導體材料表面進行干法刻蝕形成陡直的溝槽；

(3)清除半導體材料表面的第一層光敏薄膜；

(4)將第二層光敏薄膜附著于整個半導體材料表面，只留出2個空白窗口不附著第二層光敏薄膜，并使得光刻標記位于窗口區域中央；

(5)在2個空白窗口以及第二層光敏薄膜上淀積一層難熔金屬；

(6)通過清除第二層光敏薄膜去除窗口區域以外的難熔金屬，在窗口區域內留下被難熔金屬覆蓋的溝槽圖形。

7、根據權利要求6所述的半導體材料上的光刻標記的方法，其特征在于第一層光敏薄膜的厚度為1～2μm；第二層光敏薄膜的厚度為2～4μm。

8、根據權利要求6所述的半導體材料上的光刻標記的方法，其特征在于步驟(2)中刻蝕的方法為反應離子刻蝕或感應耦合等離子刻蝕；刻蝕形成溝槽的深度為100～150nm。

9、根據權利要求6所述的半導體材料上的光刻標記的方法，其特征在于步驟(4)中窗口的面積為1～4mm²。

10、根據權利要求6所述的半導體材料上的光刻標記的方法，其特征在于步驟(5)中所述難熔金屬材料為鎢或鎢氮；難熔金屬的淀積方法為濺射法；難熔金屬的厚度為100～150nm。

11、一種制備權利要求1所述的半導體材料上的光刻標記的方法，其特征在于該方法包括如下步驟：

(1)將第一層光敏薄膜附著于整個半導體材料表面，只在光刻標記待刻區域留出2個空白窗口不附著第一層光敏薄膜；

(2)在2個空白窗口以及第一層光敏薄膜表面淀積一層難熔金屬；

(3)通過清除第一層光敏薄膜去除窗口區域以外的難熔金屬；

(4)利用第二層光敏薄膜在難熔金屬表面形成光刻標記圖形；

(5)利用第二層光敏薄膜作掩模對難熔金屬進行干法刻蝕形成陡直的難熔金屬溝槽；

(6)清除第二層光敏薄膜。

12、根據權利要求11所述的半導體材料上的光刻標記的方法，其特征在于第一層光敏薄膜的厚度為3～4μm；第二層光敏薄膜的厚度為2～4μm。

13、根據權利要求11所述的半導體材料上的光刻標記的方法，其特征在于步驟(1)中窗口的面積為1～4mm²。

14、根據權利要求11所述的半導體材料上的光刻標記的方法，其特征在于步驟(2)中所述難熔金屬材料為鎢或鎢氮；難熔金屬的淀積方法為濺射法；難熔金屬的厚度為200～300nm。

15、根據權利要求11所述的半導體材料上的光刻標記的方法，其特征在于步驟(5)中難熔金屬的刻蝕方法為離子銑、反應離子刻蝕或感應耦合等離子刻蝕，刻蝕形成溝槽的深度為100～150nm。