[發明專利]晶圓級電遷移性能測試的改善方法無效
| 申請號: | 200810023822.6 | 申請日: | 2008-04-16 |
| 公開(公告)號: | CN101562145A | 公開(公告)日: | 2009-10-21 |
| 發明(設計)人: | 彭昶 | 申請(專利權)人: | 和艦科技(蘇州)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司: | 南京蘇科專利代理有限責任公司 | 代理人: | 陳忠輝;姚姣陽 |
| 地址: | 215025江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶圓級電 遷移 性能 測試 改善 方法 | ||
1.晶圓級電遷移性能測試的改善方法,即使用機臺型號為“Agilent 4070”的測試系統,并使用量測探針兩端分別相連于電流電壓源及待測對象 的端口,對其輸入電流及負載端電壓進行量測,得出在晶片狀態下器件的電 遷移性能,其特征在于:在所述機臺的測試程式中增加限壓設定及限流設 定,對量測探卡的輸出電壓限制40V以下、限制電流設定為100mA,使電 流輸入端的電壓被限定在測試系統額定電壓之內;并增加一控制命令,用于 在判斷功率超過2W的測試系統額定值時,退出測試。
2.根據權利要求1所述的晶圓級電遷移性能測試的改善方法:其特征 在于:所述的量測端電流電壓源的最大電壓量測能力為100V。
3.根據權利要求1所述的晶圓級電遷移性能測試的改善方法:其特征 在于:所述的限定電壓為40V,限定電流為100mA。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





