[發明專利]基于等離子體處理的薄膜太陽能電池封裝方法無效
| 申請號: | 200810023484.6 | 申請日: | 2008-04-08 |
| 公開(公告)號: | CN101271936A | 公開(公告)日: | 2008-09-24 |
| 發明(設計)人: | 任兆杏;張紅娟;金友華;吳存宏;汪燕萍;李習昭 | 申請(專利權)人: | 合肥榮事達集團有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 安徽合肥華信知識產權代理有限公司 | 代理人: | 余成俊 |
| 地址: | 230088安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 等離子體 處理 薄膜 太陽能電池 封裝 方法 | ||
1、基于等離子體處理的薄膜太陽能電池封裝方法,首先在背板玻璃制備太陽電池芯片,其特征在于采用等離子體射流分別處理背板玻璃的密封面,EVA薄膜的正、反面,蓋板玻璃的密封面,清除背板玻璃、蓋板玻璃和EVA薄膜表面的塵埃和濕氣及其它雜質;接著按薄膜太陽能電池組件結構封裝順序在蓋板玻璃、背板玻璃之間夾入EVA薄膜,形成薄膜電池組件,然后,將組件放入層壓機中進行層壓,完成電池的密封加工。
2、根據權利要求1所述的基于等離子體處理的薄膜太陽能電池封裝方法,其特征在于所述的太陽電池芯片是在背板玻璃上制備的非晶硅薄膜電池芯片。
3、根據權利要求1所述的基于等離子體處理的薄膜太陽能電池封裝方法,其特征在于所述的等離子體射流是等離子體發生器電離空氣所產生的射流,其溫度為100-200℃。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





