[發明專利]通過氣相傳輸法制備InN納米線和納米棒的方法有效
| 申請號： | 200810023437.1 | 申請日： | 2008-04-14 |
| 公開（公告）號： | CN101289172A | 公開（公告）日： | 2008-10-22 |
| 發明（設計）人： | 謝自力;張榮;聶超;劉啟家;劉斌;李弋;修向前;韓平;趙紅;江若璉;施毅;朱順明;胡立群;鄭有炓 | 申請（專利權）人： | 南京大學 |
| 主分類號： | C01B21/06 | 分類號： | C01B21/06;C01G15/00 |
| 代理公司： | 南京天翼專利代理有限責任公司 | 代理人： | 黃明哲 |
| 地址： | 210093*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 通過 相傳 法制 inn 納米 方法 | ||
【權利要求書】：
1.通過氣相傳輸法制備InN納米線和納米棒的方法，其特征是以GaAs或Si或藍寶石做為襯底，將所使用的襯底材料切片，使其自然解理，自然解理面為(110)面或(111)面，通過氣相傳輸法在襯底的自然解理面上生成InN納米線和納米棒：
使用管式電子加熱爐，通入保護氣體氮氣和反應氣體氨氣，并將管式電子加熱爐加熱到500℃-1100℃，其中管式電子加熱爐的中心溫度加熱到700℃-1000℃，沿管式電子加熱爐內的氣體流動方向，管式電子加熱爐后端為500℃-900℃的低溫區域；金屬銦放置在石英舟內，石英舟放置在管式電子加熱爐中心，在石英舟后面設有石墨基底，襯底放置在石墨基底上，并設置在管式電子加熱爐500℃-900℃的溫區范圍內；900℃時金屬銦開始汽化，同時氨氣開始分解，銦蒸汽和分解了的氨氣發生反應，同時隨著氣流向管式電子加熱爐后端輸運，到達襯底位置時，在襯底的自然解理面上沉積成核，生長出InN納米線和納米棒；
反應在常壓下進行，通入的保護氣體氮氣和反應氣體氨氣的流速從0L/min逐漸升至10L/min后保持，使用的金屬銦純度99.99％，氨氣純度99.999％，氮氣純度99.9995％。
2.根據權利要求1所述的通過氣相傳輸法制備InN納米線和納米棒的方法，其特征是襯底設置在管式電子加熱爐的550℃溫區。
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