[發(fā)明專(zhuān)利]一種全息－離子束刻蝕制備光柵的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810023121.2
• 申請(qǐng)日: 2008-07-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101320207A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-12-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉全;吳建宏;楊衛(wèi)鵬
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 蘇州大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): G03F7/00
• 分類(lèi)號(hào): G03F7/00;G02B5/18
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司
• 代理人: 陶海鋒

1.一種全息-離子束刻蝕制備光柵的方法，首先進(jìn)行全息光刻，獲得光刻膠光柵掩模，然后進(jìn)行離子束刻蝕，最后去除殘余的光刻膠，獲得所需的光柵，其特征在于：所述離子束刻蝕為，先用氬離子束進(jìn)行刻蝕1至3分鐘，再用三氟甲烷反應(yīng)離子束刻蝕至所需槽形深度；所述氬離子束刻蝕時(shí)，離子能量480～510ev，離子束流80～120mA，加速電壓250～300v，工作壓強(qiáng)2.0×10^-2Pa。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全息-離子束刻蝕制備光柵的方法，其特征在于：所述三氟甲烷反應(yīng)離子束刻蝕時(shí)，離子能量370～400ev，離子束流80～100mA，加速電壓250～280v，工作壓強(qiáng)1.3×10^-2Pa。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全息-離子束刻蝕制備光柵的方法，其特征在于：制備獲得的所述光柵的空頻為150～1500線/毫米。