[發(fā)明專利]以氣相摻雜區(qū)熔硅片制造高頻高壓二極管的方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810022579.6
• 申請(qǐng)日: 2008-08-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101656211A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-02-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 繆玉華;陳許平;蔡培林;劉卉;孫建兵
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南通皋鑫電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/329
• 分類號(hào): H01L21/329;H01L21/66
• 代理公司: 如皋市江海專利事務(wù)所
• 代理人: 蔡春建

1.以氣相摻雜區(qū)熔硅片制造高頻高壓二極管的方法，它包括以下步 驟：

(1)將氣相摻雜區(qū)熔硅片進(jìn)行全數(shù)測(cè)試，硅片R/2點(diǎn)電阻率ρ₁為：28 Ω.cm≤ρ₁≤42Ω.cm；

(2)將步驟(1)所測(cè)合格的硅片組成擴(kuò)散批，擴(kuò)散批硅片R/2點(diǎn)平均電阻 率ρ_R/2為：30Ω.cm≤ρ_R/2≤40Ω.cm；

(3)將步驟(2)組成的擴(kuò)散批進(jìn)行清洗處理，去除表面雜質(zhì)；

(4)將步驟(3)清洗過(guò)的擴(kuò)散批硅片進(jìn)行全自動(dòng)二次涂覆處理，一面涂覆 磷源，另一面涂覆硼源，涂覆源量為：0.1ml～0.15ml；

(5)將步驟(4)的硅片送入高溫?cái)U(kuò)散爐進(jìn)行PN擴(kuò)散，溫度t₁為：1285℃≤ t₁≤1290℃，溫控時(shí)間h₁為：26小時(shí)≤h₁≤30小時(shí)；

(6)對(duì)步驟(5)的硅片進(jìn)行評(píng)價(jià)測(cè)試，結(jié)深Xj為：75μm≤Xj≤85μm， 方塊電阻ρ₂為：ρ₂≤0.1Ω.cm；

(7)對(duì)步驟(6)的合格品進(jìn)行PT擴(kuò)散，擴(kuò)散溫度t₂為：845℃≤t₂≤855 ℃，擴(kuò)散時(shí)間h₂為：0.4小時(shí)≤h₂≤0.6小時(shí)，恒溫后降至650℃退火1 小時(shí)；

(8)對(duì)步驟(7)所得的半成品進(jìn)行評(píng)價(jià)測(cè)試，反向恢復(fù)時(shí)間T_rr為：0.03 μs≤T_rr≤0.085μs；

(9)對(duì)步驟(8)的合格品進(jìn)行噴砂處理，噴砂深度L₁為：3μm≤L₁≤5μ m；

(10)對(duì)步驟(9)的合格品進(jìn)行脫脂及一次鍍鎳處理，鍍鎳厚度δ₁為：0.8 μm≤δ₁≤1μm；

(11)對(duì)步驟(10)的合格品進(jìn)行燒結(jié)二次鍍鎳處理，650℃燒結(jié)1小時(shí)，二 次鍍鎳厚度δ₂為：0.2μm≤δ₂≤0.3μm；

(12)對(duì)步驟(11)的產(chǎn)品進(jìn)行化學(xué)鍍金，鍍金厚度δ₃為：0.1μm≤δ₃≤0.2 μm；

(13)將步驟(12)所得的半成品按耐壓等級(jí)分別進(jìn)行積層，組成硅片-焊片 組，硅片數(shù)量按耐壓等級(jí)而定；

(14)將步驟(13)組成的硅片-焊片組送入高頻合金爐進(jìn)行高頻加熱處理， 加熱溫度t₃為：280℃≤t₃≤290℃，加熱時(shí)間h₃為：8≤h₃≤12分鐘；

(15)將步驟(14)加工好的硅疊進(jìn)行多股鋼絲切斷處理，形成硅塊，硅塊截 面尺寸為：0.62mm×0.62mm；

(16)對(duì)步驟(15)形成的硅塊進(jìn)行檢測(cè)，正向?qū)娏鱅_f為：8μA≤I_f≤15 μA，外形尺寸為；0.62mm×0.62mm；

(17)將步驟(16)的硅塊進(jìn)行化學(xué)處理，去除表面雜質(zhì)，形成硅塊臺(tái)面，臺(tái) 面腐蝕深度L₂為：100μm≤L₂≤140μm；

(18)將管芯引線及步驟(17)所得的硅塊裝入石墨模，并送入鏈?zhǔn)綗Y(jié)爐進(jìn) 行燒結(jié)，恒溫區(qū)溫度t₄為：280℃≤t₄≤290℃，恒溫區(qū)時(shí)間h₄為：2分鐘≤ h₄≤3分鐘，得到裝配硅塊；

(19)將步驟(18)所得裝配硅塊進(jìn)行堿腐蝕處理，清洗表面雜質(zhì)，腐蝕時(shí)間 h₅為：4分鐘≤h₅≤6分鐘；

(20)將步驟(19)所得的裝配硅塊進(jìn)行管芯表面涂覆，并進(jìn)行表面鈍化處理， 得半成品；

(21)將步驟(20)所得的半成品進(jìn)行壓塑封裝；

(22)將步驟(21)所得的半成品進(jìn)行X射線測(cè)試，去除不良品，得成品。