[發(fā)明專利]具有形貌遺傳的納米聚苯胺材料及其電化學(xué)制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810020825.4
• 申請(qǐng)日: 2008-08-04
• 公開（公告）號(hào): CN101492536A
• 公開（公告）日: 2009-07-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郝青麗;汪信;周倩;嚴(yán)貞貞;楊緒杰;陸路德;劉孝恒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南京理工大學(xué)
• 主分類號(hào): C08G73/02
• 分類號(hào): C08G73/02;C25B3/00;H01B1/12
• 代理公司: 南京理工大學(xué)專利中心
• 代理人: 朱顯國(guó)

1.一種具有形貌遺傳能力的納米聚苯胺材料，其特征在于通過(guò)以下電化學(xué)方法制備而得：第一步，將苯胺和摻雜酸I加到水中，攪拌形成均勻透明的苯胺的摻雜酸I溶液；

第二步，電化學(xué)合成：在三電極體系內(nèi)，將苯胺的摻雜酸I溶液加到電解池中，在工作電極上進(jìn)行電化學(xué)方法合成制備得到摻雜酸I摻雜的納米結(jié)構(gòu)的聚苯胺材料，電化學(xué)合成完畢，大量的水沖洗，去除表面附著的反應(yīng)物，得到摻雜酸I摻雜的聚苯胺修飾電極；

第三步，將上述修飾電極作為工作電極，放在盛有摻雜酸II的水溶液中，采用循環(huán)伏安法電解至循環(huán)伏安圖形穩(wěn)定，最后反應(yīng)停止在+0.3V，相對(duì)于飽和甘汞電極；

第四步，沖洗上述電極，即得形貌與第二步所得摻雜酸I摻雜的聚苯胺納米結(jié)構(gòu)一樣的摻雜酸II摻雜的聚苯胺材料。

2.一種具有形貌遺傳能力的納米聚苯胺材料的電化學(xué)制備方法，其特征在于步驟如下：第一步，將苯胺和摻雜酸I加到水中，攪拌形成均勻透明的苯胺的摻雜酸I溶液；

第二步，電化學(xué)合成：在三電極體系內(nèi)，將苯胺的摻雜酸I溶液加到電解池中，在工作電極上進(jìn)行電化學(xué)方法合成制備得到摻雜酸I摻雜的納米結(jié)構(gòu)的聚苯胺材料，電化學(xué)合成完畢，大量的水沖洗，去除表面附著的反應(yīng)物，得到摻雜酸I摻雜的聚苯胺修飾電極；其中電化學(xué)測(cè)試溫度為5～30℃；

第三步，將上述修飾電極作為工作電極，放在盛有摻雜酸II的水溶液中，采用循環(huán)伏安法電解至循環(huán)伏安圖形穩(wěn)定，最后反應(yīng)停止在+0.3V，相對(duì)于飽和甘汞電極；

第四步，沖洗上述電極，即得形貌與第二步所得摻雜酸I摻雜的聚苯胺納米結(jié)構(gòu)一樣的摻雜酸II摻雜的聚苯胺材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有形貌遺傳能力的納米聚苯胺材料的電化學(xué)制備方法，其特征在于：苯胺單體濃度為0.1～0.5mol/L；摻雜酸I和II的濃度為0.5～2mol/L；苯胺與摻雜酸I的摩爾比為1∶1～1∶10。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的具有形貌遺傳能力的納米聚苯胺材料的電化學(xué)制備方法，其特征在于：摻雜酸I和II為無(wú)機(jī)或有機(jī)酸，摻雜酸I的陰離子半徑要比摻雜酸II的大，其中無(wú)機(jī)酸為鹽酸、硫酸或磷酸；有機(jī)酸為樟腦磺酸、對(duì)甲苯磺酸或聚有機(jī)酸。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有形貌遺傳能力的納米聚苯胺材料的電化學(xué)制備方法，其特征在于：電化學(xué)電解池是三電極系統(tǒng)，導(dǎo)電玻璃、不銹鋼片、鉑電極或金電極作為工作電極，鉑片或鉑絲作為對(duì)電極，飽和甘汞電極或銀、氯化銀電極為參比電極。

6.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的具有形貌遺傳能力的納米聚苯胺材料的電化學(xué)制備方法，其特征在于：摻雜酸I摻雜聚苯胺的電化學(xué)合成方法是恒電流、恒電位、脈沖電流和循環(huán)伏安法聚合中的任一種，所述的恒電流法聚合中，電流密度控制在0.01～1.5mA/cm²；恒電位法聚合中，電位控制在0.6～1.0V；循環(huán)伏安法中，電位范圍-0.2～1.1V，掃描速率控制在50～150mV/s；脈沖電流法中，通斷比控制在1∶1～10∶1；所有電位相對(duì)于飽和甘汞電極而言。

7.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的具有形貌遺傳能力的納米聚苯胺材料的電化學(xué)制備方法，其特征在于：形貌遺傳的摻雜酸-II摻雜聚苯胺由循環(huán)伏安法得到，電位掃描范圍-0.2～1.0V，相對(duì)于飽和甘汞電極，掃描速率控制在5～200mV/s。