[發明專利]一種孔徑與/或孔間距可調控的納米多孔氧化鋁膜的制法

無效

• 申請號: 200810020719.6
• 申請日: 2008-02-22
• 公開（公告）號: CN101235528A
• 公開（公告）日: 2008-08-06
• 發明（設計）人: 夏興華;陳偉;吳劍霜
• 申請（專利權）人: 南京大學
• 主分類號: C25D11/04
• 分類號: C25D11/04;C25D11/16
• 代理公司: 南京知識律師事務所
• 代理人: 黃嘉棟

1.一種孔徑與/或孔間距可調控的納米多孔氧化鋁膜的制法，其特征是它由以下步驟組成：

步驟1.將鋁片經過退火和電化學拋光處理，

步驟2.將步驟1處理后的鋁片置于恒電位電解池中，加入磷酸溶液為電解液，加入聚乙二醇為調節劑，進行恒電位陽極氧化，得到孔徑與/或孔間距可調控的納米多孔氧化鋁膜，所述的聚乙二醇的平均分子量為400-2000，電解液中聚乙二醇質量百分濃度n為：0％＜n≤50％，電解液中所述的磷酸的濃度為0.2-0.8摩爾，電解時間為4-48小時。

2.根據權利要求1所述的孔徑與/或孔間距可調控的納米多孔氧化鋁膜的制法，其特征是：所述的制得的多孔氧化鋁膜的孔徑隨聚乙二醇的濃度增加而線性減小。

3.根據權利要求1所述的孔徑與/或孔間距可調控的納米多孔氧化鋁膜的制法，其特征是：所述的制得的多孔氧化鋁膜的孔徑隨聚乙二醇平均分子量的增大而減小。

4.根據權利要求1所述的孔徑與/或孔間距可調控的納米多孔氧化鋁膜的制法，其特征是：所述的制得的多孔氧化鋁膜的孔徑隨磷酸的濃度增加而增大。

5.根據權利要求1所述的孔徑與/或孔間距可調控的納米多孔氧化鋁膜的制法，其特征是：所述的制得的多孔氧化鋁膜的孔徑隨電解的時間增加而增大。

6.根據權利要求1所述的孔徑與/或孔間距可調控的納米多孔氧化鋁膜的制法，其特征是：所述的制得的多孔氧化鋁膜的孔間距的大小隨氧化電位增大而增大。