[發明專利]超薄太陽能級硅片及其切割工藝

有效

• 申請號: 200810019894.3
• 申請日: 2008-03-21
• 公開（公告）號: CN101241939A
• 公開（公告）日: 2008-08-13
• 發明（設計）人: 吳偉成;毛和璜;李云霞
• 申請（專利權）人: 常州有則科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/18;B28D5/00
• 代理公司: 常州市科誼專利代理事務所
• 代理人: 孫彬

1、一種超薄太陽能級硅片，其本體(1)為由上、下兩平行平面(2、3)組成的方形薄片，其特征在于：方形薄片四角(4)為四個相同的45°倒角。

2、根據權利要求1所述的超薄太陽能級硅片，其特征在于：所述本體(1)的上、下兩平面(2、3)的距離在165μm-195μm范圍內，翹曲度小于75μm，表面光潔、平整、無瑕疵。

3、一種超薄太陽能級硅片切割工藝，其特征在于：切割工藝由圓形硅棒開方和方形硅棒切片二道工序組成；圓形硅棒開方切割工藝是將檢驗合格的圓形硅棒粘接在晶棒托上，而后安裝到硅晶棒開方機的工作臺上，經兩次開方和兩次倒角，切割出四角為四個相同的45°倒角的方形硅棒；開方和倒角時鋼線速度為9-12米/秒，工件速度600-800微米/分鐘；方形硅棒切片切割工藝是將開方后四角為四個相同45°倒角的方形硅棒經超聲清洗和高純氮氣吹干后，粘貼在玻璃板上，用2-2.5kg重的鐵塊壓緊2-3小時后，取下鐵塊，靜止放置8-10小時，而后安裝到多線切割機上進行切片；切片使用φ100-130μm鋼線，鋼線走線速度550-650米/分鐘，工件進給速度220-350μm/min，多線切割機導輪槽距320-345μm；切割時必需使用由懸浮液和金鋼砂攪拌均勻的砂漿。

4、根據權利要求3所述的一種超薄太陽能級硅片切割工藝，其特征在于砂漿密度為1.60-1.68克/立方厘米，砂漿流量為60-110L/min，砂漿溫度在20-30℃范圍內。