[發(fā)明專利]超薄太陽(yáng)能級(jí)硅片及其切割工藝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810019894.3 | 申請(qǐng)日: | 2008-03-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101241939A | 公開(公告)日: | 2008-08-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳偉成;毛和璜;李云霞 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 常州有則科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0352 | 分類號(hào): | H01L31/0352;H01L31/18;B28D5/00 |
| 代理公司: | 常州市科誼專利代理事務(wù)所 | 代理人: | 孫彬 |
| 地址: | 213022江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 超薄 太陽(yáng) 能級(jí) 硅片 及其 切割 工藝 | ||
1、一種超薄太陽(yáng)能級(jí)硅片,其本體(1)為由上、下兩平行平面(2、3)組成的方形薄片,其特征在于:方形薄片四角(4)為四個(gè)相同的45°倒角。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄太陽(yáng)能級(jí)硅片,其特征在于:所述本體(1)的上、下兩平面(2、3)的距離在165μm-195μm范圍內(nèi),翹曲度小于75μm,表面光潔、平整、無(wú)瑕疵。
3、一種超薄太陽(yáng)能級(jí)硅片切割工藝,其特征在于:切割工藝由圓形硅棒開方和方形硅棒切片二道工序組成;圓形硅棒開方切割工藝是將檢驗(yàn)合格的圓形硅棒粘接在晶棒托上,而后安裝到硅晶棒開方機(jī)的工作臺(tái)上,經(jīng)兩次開方和兩次倒角,切割出四角為四個(gè)相同的45°倒角的方形硅棒;開方和倒角時(shí)鋼線速度為9-12米/秒,工件速度600-800微米/分鐘;方形硅棒切片切割工藝是將開方后四角為四個(gè)相同45°倒角的方形硅棒經(jīng)超聲清洗和高純氮?dú)獯蹈珊螅迟N在玻璃板上,用2-2.5kg重的鐵塊壓緊2-3小時(shí)后,取下鐵塊,靜止放置8-10小時(shí),而后安裝到多線切割機(jī)上進(jìn)行切片;切片使用φ100-130μm鋼線,鋼線走線速度550-650米/分鐘,工件進(jìn)給速度220-350μm/min,多線切割機(jī)導(dǎo)輪槽距320-345μm;切割時(shí)必需使用由懸浮液和金鋼砂攪拌均勻的砂漿。
4、根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種超薄太陽(yáng)能級(jí)硅片切割工藝,其特征在于砂漿密度為1.60-1.68克/立方厘米,砂漿流量為60-110L/min,砂漿溫度在20-30℃范圍內(nèi)。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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