[發明專利]一種UV光阻硬化機臺異常的偵測方法

有效

• 申請號: 200810019674.0
• 申請日: 2008-03-11
• 公開（公告）號: CN101533230A
• 公開（公告）日: 2009-09-16
• 發明（設計）人: 陳伏宏
• 申請（專利權）人: 和艦科技（蘇州）有限公司
• 主分類號: G03F7/40
• 分類號: G03F7/40;G03F7/26;G01B21/08;G01M11/02
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責任公司
• 代理人: 陳忠輝;姚姣陽

1.一種UV光阻硬化機臺異常的偵測方法：利用預檢光阻薄膜作為偵測媒介，量測并比對該預檢光阻薄膜在UV硬化處理前后的收縮量差值以及光學特性的變化程度，從而實現對UV光阻硬化機臺工作情況的掌控，其步驟為：

(1)準備一種涂有預檢光阻薄膜的晶圓盤片，定義為PR?wafer；

(2)將該PR?wafer置入薄膜量測機臺進行量測，得出其厚度TK1、量測擬合度的表征參數GOF1以及折射率n1；

(3)將該量測后的PR?wafer置于UV光阻硬化機臺進行UV光照處理；

(4)將該經過硬化處理的PR?wafer再次置入薄膜量測機臺進行量測，得出其厚度TK2、量測擬合度的表征參數GOF2以及折射率n2；

(5)將兩次量測所得的光阻薄膜的厚度以及光學特性的變化程度等量測結果信息傳輸給制程系統，而所述制程系統則預先定義了該UV硬化機臺允許偏差的最大參數，經由制程系統先由數值層面比對兩次量測所得的厚度值，得出收縮量差值ΔTK＝TK2-TK1；再由光學特性的變化程度作為出發點進行范圍層面的比對，得出并反饋該機臺的實際工作情況。

2.根據權利要求1所述的一種UV光阻硬化機臺異常的偵測方法，其特征在于：所述的預檢光阻薄膜為無IC圖像晶圓盤片上的光阻涂層。

3.根據權利要求1所述的一種UV光阻硬化機臺異常的偵測方法，其特征在于：所述的預檢光阻薄膜為包含有任意IC圖像晶圓盤片上的光阻涂層。