[發明專利]用于半導體材料氣相淀積生長系統的氮源離化方法和裝置

無效

• 申請號: 200810018876.3
• 申請日: 2008-01-29
• 公開（公告）號: CN101307485A
• 公開（公告）日: 2008-11-19
• 發明（設計）人: 謝自力;張榮;陶志闊;崔旭高;劉斌;陳鵬;修向前;韓平;趙紅;施毅;鄭有炓
• 申請（專利權）人: 南京大學
• 主分類號: C30B25/14
• 分類號: C30B25/14;C30B29/38
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司
• 代理人: 湯志武;王鵬翔

1.半導體材料氣相淀積生長系統的氮源離化裝置，其特征是包括金屬法蘭(1)、冷卻水管路(2)、石英外罩(3)、石英整流罩(5)、金屬蓋(6)、平行板電容器(7)、熱電偶(8)、石墨(9)、抽氣孔(10)、射頻匹配器(11)、射頻功率源(12)、進氣口(13)構成，金屬法蘭(1)和金屬蓋(6)裝在石英外罩(3)的兩端，石英外罩(3)上還裝有抽氣孔(10)，石英外罩內設有石墨(9)生長臺和熱電偶(8)；在石英外罩(3)內設有長方形石英整流罩(5)，反應氣體通過金屬法蘭(1)上的進氣口(13)輸入石英整流罩，石墨生長臺設有放置襯底的斜面，所述斜面設置在石英整流罩內，斜面最低端與石英整流罩下端面平齊；在包圍進氣口(13)氣路上設有電容并在生長平臺的氣路上設有電感耦合元件，電感耦合元件旁側設有冷卻水管路(2)；設有射頻匹配器(11)和射頻功率源(12)；將射頻功率源(12)輸出連接至射頻匹配器(11)后再接電容或電感耦合元件。