[發(fā)明專利]柵極控制變?nèi)莨芙Y(jié)構(gòu)及其生產(chǎn)方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810018719.2
• 申請(qǐng)日: 2008-01-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101221991A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丁國(guó)華;周燁;賀潔;胡斌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無(wú)錫硅動(dòng)力微電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/93
• 分類號(hào): H01L29/93;H01L21/329
• 代理公司: 無(wú)錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 曹祖良

1.一種柵極控制變?nèi)莨芙Y(jié)構(gòu)，其特征是：在埋層(10)的上面有外延(8)；在外延(8)內(nèi)的上部有P型阱區(qū)(6)；在P型阱區(qū)(6)的上部有P+離子注入(12)，并且從P+離子注入(12)需要引出的地方有合金引出(11’)，該合金引出(11’)作為基準(zhǔn)電位(3)的輸入端；在P型阱區(qū)(6)的表面生長(zhǎng)出柵氧化物(9)和場(chǎng)氧化物(5’)，并且在柵氧化物(9)和場(chǎng)氧化物(5’)的上面生長(zhǎng)覆蓋物柵多晶(4)；在對(duì)應(yīng)于場(chǎng)氧化物(5’)正上方的柵多晶(4)處形成合金引出(11”)，作為變?nèi)莨茈娙?1)的控制端；在對(duì)應(yīng)于埋層(10)邊緣處的外延(8)內(nèi)有深磷(7)，并且深磷(7)的下端與埋層(10)相連；從深磷(7)的上端需要引出的地方有合金引出(11)，作為電源端(2)；在柵多晶(4)和合金引出(11、11’、11”)以外的外延(8)的上表面覆蓋有場(chǎng)氧化物(5)。

2.如權(quán)利要求1所述柵極控制變?nèi)莨芙Y(jié)構(gòu)的生產(chǎn)方法，其特征是：在埋層(10)生長(zhǎng)完畢后，生長(zhǎng)出外延(8)；在外延(8)中形成P型阱區(qū)(6)；在P型阱區(qū)(6)中形成P+離子注入(12)，并且從P+離子注入(12)需要引出的地方形成合金引出(11’)，作為基準(zhǔn)電位(3)的輸入端；在P型阱區(qū)(6)的表面生長(zhǎng)出柵氧化物(9)和場(chǎng)氧化物(5’)，并且在柵氧化物(9)和場(chǎng)氧化物(5’)的上方生長(zhǎng)覆蓋物柵多晶(4)；在場(chǎng)氧化物(5’)正上方處的柵多晶(4)處形成合金引出(11”)，作為變?nèi)莨茈娙?1)的控制端；埋層邊緣處的外延(8)內(nèi)形成深磷(7)，并且深磷(7)與埋層(10)相連；從深磷(7)需要引出的地方形成合金引出(11)，作為電源端(2)；在柵多晶(4)和合金引出(11、11’、11”)以外的上表面覆蓋場(chǎng)氧化物(5)。