[發明專利]一種提高發光芯片光出射窗口出光率的加工方法

無效

• 申請號: 200810018358.1
• 申請日: 2008-06-03
• 公開（公告）號: CN101599516A
• 公開（公告）日: 2009-12-09
• 發明（設計）人: 姜濤
• 申請（專利權）人: 姜濤
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01S5/00
• 代理公司: 西安文盛專利代理有限公司
• 代理人: 呂 宏

1.一種提高發光芯片光出射窗口出光率的加工方法，包括對出光窗口上鈍化層的刻蝕，其特征是在出光窗口(2)表面的第一材料層(4)生長完并經第一步刻蝕工序后，在每次進行刻蝕工序前再每次生長一層材料層(5、6)，其中第一材料層(4)、第二材料層(5)、第三材料層(6)定義為一種或多種材料的層疊材料層結構。

2.如權利要求1所述的一種提高發光芯片光出射窗口出光率的加工方法，其特征是刻蝕均是當第一次生長的材料層(4)生長完，涂抹光刻膠(3)曝光顯影并去除被顯影的光刻膠(3)后進行第一步刻蝕，在所得的第一材料層(4)結構上再次生長一層第二材料層(5)并進行再次刻蝕，也可在所獲得的第二材料層(5)的基礎上再次生長一層第三材料層(6)，或重復多次生長刻蝕循環過程。

3.如權利要求1所述的一種提高發光芯片光出射窗口出光率的加工方法，其特征是所說材料層的厚度為20-20000nm。

4.如權利要求1所述的一種提高發光芯片光出射窗口出光率的加工方法，其特征是出光窗口(2)曝光顯影后為網狀分布且形狀為三角形、正方形、六角形、橢圓形、圓形。