[發明專利]一種加工微米/亞微米尺度塊體試樣的方法有效
| 申請號： | 200810017630.4 | 申請日： | 2008-03-06 |
| 公開（公告）號： | CN101249937A | 公開（公告）日： | 2008-08-27 |
| 發明（設計）人： | 孫軍;陳威;孫巧艷;宋振亞;肖林;余倩;姚希;張德紅;張臨財 | 申請（專利權）人： | 西安交通大學 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00;G03F1/14;G03F7/20;G03F7/26 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 | 代理人： | 陳翠蘭 |
| 地址： | 710049*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 加工 微米 尺度 塊體 試樣 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種加工微米/亞微米尺度塊體試樣的方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)加工光刻蝕所用的掩膜板：在掩膜板上加工若干個相同尺寸的圖案，設計的掩膜板上的圖案尺寸大于欲得到的最終微米/亞微米塊體試樣尺寸；
(2)采用光刻技術將掩膜板上的圖案復制到涂有光刻正膠的已研磨拋光的待刻蝕材料表面上，再將待刻蝕材料在60～100℃下烘干3～8分鐘；
(3)將待刻蝕材料浸入腐蝕液中，同時以30～60轉/分鐘勻速攪拌腐蝕液，腐蝕0.5～3分鐘后取出刻蝕材料，再將其放入丙酮溶液中進行清洗，得到微米尺度的塊體試樣；所述的待刻蝕材料為有合適腐蝕劑的金屬多晶、金屬單晶和非晶；
(4)對通過光刻蝕得到的微米尺度的塊體試樣進行聚焦離子束修刻，利用Ga+束轟擊掉試樣上多余的部分，得到精確的最終尺寸的微米/亞微米尺度塊體試樣。
2.根據權利要求1所述的加工微米/亞微米尺度塊體試樣的方法，其特征在于，待刻蝕材料為有合適腐蝕液的Ti單晶，Ti5Al單晶和Cu46Zr47Al7非晶。
3.根據權利要求1所述的加工微米/亞微米尺度塊體試樣的方法，其特征在于，所述的腐蝕液指Ti單晶的腐蝕液為3％HF+97％H2O或5％HF+95％H2O，Ti5Al單晶的腐蝕液為5％HF+95％H2O，Cu46Zr47Al7非晶的腐蝕液為1％HF+99％H2O。
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