[發明專利]高居里點無鉛PTC陶瓷電阻材料的制備方法

無效

• 申請號: 200810017336.3
• 申請日: 2008-01-18
• 公開（公告）號: CN101224979A
• 公開（公告）日: 2008-07-23
• 發明（設計）人: 蒲永平;王瑾菲
• 申請（專利權）人: 陜西科技大學
• 主分類號: C04B35/622
• 分類號: C04B35/622;C04B35/00;H01B3/12;H01C7/02
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司
• 代理人: 張震國

1.一種高居里點無鉛PTC陶瓷電阻材料的制備方法，其特征在于：

1)首先按質量份數將26.2份的Na₂CO₃、116.5份的Bi₂O₃和79.9份的TiO₂混合得到混合物A；再按質量份數將79.9份的TiO₂和197.4份的BaCO₃混合得到混合物B，然后分別將混合物A、混合物B加入去離子水中球磨3-5小時，過濾后將球磨的粉料在80-100℃烘干；

2)然后將烘干后的混合物A在800-850℃保溫1-2小時合成Na_0.5Bi_0.5TiO₃粉體，將烘干后的混合物B在1280-1350℃保溫1-2h合成BaTiO₃粉體；

3)將合成的Na_0.5Bi_0.5TiO₃粉體、BaTiO₃粉體、半導化元素Ln和TiO₂按照(Na_0.5Bi_0.5)_x(Ba_1-x-z)TiO₃+zLn+2mol％TiO₂，其中0＜x＜0.01，0＜z＜1.0配比后球磨、干燥、造粒、成型坯體；

4)將成型的坯體在還原氣氛下燒結，在管式氣氛爐中通氫氣，保證爐膛內的負壓還原氣氛，從室溫以150℃/h的升溫速率升到780℃/h，保溫1h，然后再以300-480℃的升溫速率升到1280-1350℃，保溫2h，再以爐溫200-300℃/h的降溫速率降到室溫，即得到半導化的陶瓷樣品；

5)將半導性的陶瓷樣品在空氣中于400-680℃下再氧化1-2小時，使晶界得到氧化而形成晶界勢壘得到高居里點無鉛PTC陶瓷電阻材料。

2.根據權利要求1所述的高居里點無鉛PTC陶瓷電阻材料的制備方法，其特征在于：所說的Ln為三價或五價稀土微量半導化元素La、Nb、Y或Dy中的一種或一種以上的任意比例的混合物。