[發明專利]用于半導體單晶生長的高純碳化硅粉的人工合成方法

有效

• 申請號: 200810016665.6
• 申請日: 2008-06-04
• 公開（公告）號: CN101302011A
• 公開（公告）日: 2008-11-12
• 發明（設計）人: 胡小波;寧麗娜;李娟;王英民;徐現剛
• 申請（專利權）人: 山東大學
• 主分類號: C01B31/36
• 分類號: C01B31/36
• 代理公司: 濟南圣達專利商標事務所有限公司
• 代理人: 王書剛

1.一種用于半導體單晶生長的高純碳化硅粉的人工合成方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)按摩爾比1∶1的比例取Si粉和C粉，兩者的純度均大于99.998％，粒度均小于500μm；

(2)初次合成：將所取Si粉和C粉混合均勻后放入坩堝中，然后將坩堝置于中頻感應加熱爐中，對加熱爐的生長室抽真空，除去生長室中的氧氣和氮氣，同時將溫度升高至1000℃；然后向生長室中充入高純氬氣、氦氣或氬氣和氫氣的混合氣體，氬氣、氦氣、氫氣的純度均大于99.999％，加熱至合成溫度1500℃，保持反應時間15分鐘，而后降至室溫，將反應后的產物中大于1厘米的團聚物研成小于1mm的粉末；

(3)二次合成：將初次合成中所得產物粉末混合均勻，重新放入坩堝中，將坩堝置于中頻感應加熱爐中，對加熱爐的生長室抽真空，同時將溫度升高至1000℃；然后向生長室充入純度均大于99.999％的高純氬氣、氫氣或兩者的混合氣體，加熱至合成溫度1600℃到2000℃，合成時間為2小時-10小時，而后降至室溫，即可得到適于半導體SiC單晶生長的高純SiC粉料。

2.根據權利要求1所述的用于半導體單晶生長的高純碳化硅粉的人工合成方法，其特征在于，所述步驟(2)或(3)中向中頻感應加熱爐生長室中充入氬氣和氫氣的混合氣體時，氬氣與氫氣的體積比為90∶10。