[發明專利]磁性增強的H摻雜MnxGe1－x磁性半導體薄膜無效
| 申請號： | 200810014729.9 | 申請日： | 2008-03-07 |
| 公開（公告）號： | CN101299368A | 公開（公告）日： | 2008-11-05 |
| 發明（設計）人： | 顏世申;姚新欣;喬瑞敏;秦羽豐;孫毅彥;陳延學;劉國磊;梅良模 | 申請（專利權）人： | 山東大學 |
| 主分類號： | H01F1/40 | 分類號： | H01F1/40;H01F10/193;H01F41/18 |
| 代理公司： | 濟南金迪知識產權代理有限公司 | 代理人： | 許德山 |
| 地址： | 250100山東*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 磁性 增強 摻雜 mn sub ge 半導體 薄膜 | ||
【權利要求書】：
1.H摻雜MnxGe1-x磁性半導體薄膜，其特征在于，該材料中摻雜有2at％-35at％的氫原子，x＝0.03-0.6。
2.如權利要求1所述的H摻雜MnxGe1-x磁性半導體薄膜，其特征在于，該材料的居里溫度不低于270K。
3.如權利要求1所述的H摻雜MnxGe1-x磁性半導體薄膜，其特征在于，用分子束外延、脈沖激光沉積、磁控濺射、化學氣相沉積或者離子注入的方法在襯底上生長MnxGe1-x薄膜，Mn的摻雜濃度3at％-60at％。
4.如權利要求1所述的H摻雜MnxGe1-x磁性半導體薄膜，其特征在于，氫原子的摻入通過以下三種方式之一：
a.在氫氣氛中生長該薄膜；
b.制備態薄膜在氫氣氛中進行熱處理；
c.制備態薄膜通過離子注入氫原子。
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