[發明專利]單晶硅片水基清洗劑

無效

• 申請號: 200810011318.4
• 申請日: 2008-05-09
• 公開（公告）號: CN101265439A
• 公開（公告）日: 2008-09-17
• 發明（設計）人: 張魁蘭
• 申請（專利權）人: 大連三達奧克化學股份有限公司
• 主分類號: C11D1/66
• 分類號: C11D1/66;C11D3/43;C11D3/30;C11D3/20;C11D3/10
• 代理公司: 大連非凡專利事務所
• 代理人: 閃紅霞

技術領域：

本發明涉及一種硅片超聲波清洗劑，尤其是一種可提高去垢能力、清洗速度以及耐用性能的單晶硅片水基清洗劑。

背景技術：

硅片首先是將硅棒切割成片狀，經過研磨、拋光、腐蝕等工序，以獲得平整光潔的表面，然后再經過清洗、氧化、光刻、外延生長、固態擴散等復雜的加工過程，才能形成半導體材料。其中的清洗主要是去除切割過程中產生的沙粒、殘留的水溶性線切割懸浮液、金屬離子、指紋等，清洗效果將直接影響硅片的質量，必需滿足除垢徹底、無腐蝕氧化、無殘留等技術要求。目前，還沒有專用于單晶硅片的超聲波清洗液，現有清洗劑存在著去垢能力差、清洗速度慢以及耐用性能不強的缺點，導致作業用清洗劑濃度高、用量大，直接提高了生產成本，同時換槽頻繁、次數多，增加了污水排放量，不利于環境保護。

發明內容：

本發明是為了解決現有技術所存在的上述技術問題，提供一種可提高去垢能力、清洗速度以及耐用性能的單晶硅片水基清洗劑。

本發明的技術解決方案是：一種單晶硅片水基清洗劑，其特征在于是熒光黃色透明液體，有如下組分和重量百分配比：

表面活性劑?????20～40

溶劑???????????5～15

PH調節劑???????15～20

光亮劑?????????10～20

去離子水???????30～45。

所述的表面活性劑為EMULAN乳化劑、脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、烷醇酰胺中的一種或兩種。

所述的脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚為8～9個碳的伯醇或仲醇，乙氧基為8～10個，丙氧基為3～6。

所述脂肪醇聚氧乙烯醚為8～14個碳的醇，乙氧基為3～6個。

所述烷醇酰胺為16～18個碳的月桂基或椰子油基。

所述的溶劑為乙醇、萜烯、碳酸二甲脂中的一種或兩種。

所述PH調節劑為單乙醇胺、碳酸鈉、硅酸鈉、乳酸中的一種或兩種。

所述的光亮劑為甲基甘氨酸鉀、改性馬來酸和丙烯酸聚合物、改性聚合物鈉的一種或兩種。

本發明是利用表面活性劑的復配性能，提高了表面去污力及保持清潔度的持續性，同時可使硅片洗后無水痕，更加光亮，對于單晶硅片等物料具有良好的清潔效果，并且提高了清洗速度和耐用性能。配制濃度低、用料少，不僅降低了用戶的使用成本，還減少了污水排放，達到了節能減排的目的。

具體實施方式：

原料及重量百分比如下：表面活性劑20～40％、溶劑5～15％、PH調節劑15～20％、光亮劑10～20％、去離子水30～45％。

所述的表面活性劑為EMULAN乳化劑(如AA56，EMULAN?AA7400)、脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、烷醇酰胺中的一種或兩種。其中脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚為8～9個碳的伯醇或仲醇，乙氧基為8～10個，丙氧基為3～6。脂肪醇聚氧乙烯醚為8～14個碳的醇，乙氧基為3～6個。烷醇酰胺為16～18個碳的月桂基或椰子油基。

所述的溶劑可以為乙醇、萜烯、碳酸二甲脂AK-100中的一種或兩種。

所述調節劑可以是單乙醇胺、碳酸鈉、硅酸鈉、乳酸中的一種或兩種。

所述的光亮劑為甲基甘氨酸鉀、改性馬來酸和丙烯酸聚合物、改性聚合物鈉的一種或兩種。

各原料可在重量范圍內進行選擇，使重量之和為100％，配制產品的外觀為熒光黃色透明液體。

適用本發明清洗工藝如下：

清洗產品：切割后的單晶硅片。

使用藥劑：本發明實施例。

使用濃度：按3％配比，清洗槽約130升，實際使用量為4升。

清洗時間：300S

使用溫度：60～65℃左右。

在用量及其他清洗條件相同時，通過多次清洗，得出以下數據：