[發明專利]一種用于磁控濺射的高純鎳靶材

無效

• 申請號: 200810010809.7
• 申請日: 2008-03-31
• 公開（公告）號: CN101550536A
• 公開（公告）日: 2009-10-07
• 發明（設計）人: 李洪錫
• 申請（專利權）人: 沈陽金納新材料有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 沈陽晨創科技專利代理有限責任公司
• 代理人: 任玉龍

1.一種用于磁控濺射的高純鎳靶材，其特征在于：所述的用于磁控濺射的高純鎳靶材為，在平面靶表面帶有均勻的突出的濺射環，濺射環外環和內環位置上的溝槽位于靶材背后磁鐵的正上方位置，溝槽的具體形狀為矩形槽、U型槽、V型槽、上矩形下梯形槽、上寬下窄的梯形槽，或者上寬下窄雙矩形槽；所述的濺射環的形狀位于外環溝槽和內環溝槽之間，形狀為矩形、圓角矩形、八邊矩形、雙半圓矩形、六邊矩形、橢圓形；所述的溝槽的深度與靶材背后的磁鐵強度和在彎道磁鐵排布有關，在濺射環的長段處溝槽較深，在濺射環的彎道溝槽處較淺。

2.按照權利要求1所述的用于磁控濺射的高純鎳靶材，其特征在于：所述的濺射環在濺射面或者非濺射面。

3.按照權利要求1所述的用于磁控濺射的高純鎳靶材，其特征在于：所述的溝槽的深度能相同也能不同，能連續變化也能非連續變化。

4.按照權利要求1所述的用于磁控濺射的高純鎳靶材，其特征在于：所述的用于磁控濺射的高純鎳靶材的結構能為整體，也能是把一個整體濺射環或者組合的濺射環與其它部分組裝成一個靶材。