[發明專利]使用具有降低布線斷開的布線結構的布線襯底的半導體器件

無效

• 申請號: 200810003531.0
• 申請日: 2008-01-18
• 公開（公告）號: CN101226920A
• 公開（公告）日: 2008-07-23
• 發明（設計）人: 中川和之
• 申請（專利權）人: 株式會社瑞薩科技
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/36
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 郭放

1.一種半導體器件，包括：

布線襯底；

與布線襯底倒裝片連接的半導體芯片；

填充布線襯底與半導體芯片之間的間隙的填充樹脂；

粘合到半導體芯片上的散熱器；

形成在布線襯底上并由空隙區域相互隔開的供電圖案和布線層下表面過孔連接區；

覆蓋供電圖案和布線層下表面過孔連接區的絕緣膜；

在絕緣膜上形成的布線層過孔連接區；

穿過絕緣膜并將布線層下表面過孔連接區連接至布線層過孔連接區的過孔；

形成在絕緣膜上、穿越空隙區域、并將布線層過孔連接區連接至半導體芯片的布線，

其中，布線層過孔連接區形成在半導體芯片外側，并且在離開半導體芯片對角線的延長線的1mm寬度的區域內，

由布線層過孔連接區引出的布線的方向與半導體芯片對角線的延長線所成的角度大于等于20°。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

由布線層過孔連接區引出的布線的方向與半導體芯片對角線的延長線所成的角度大于等于30°。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

粘合到布線襯底上的、圍繞半導體芯片的加強環，

所述布線層過孔連接區形成在半導體芯片與該加強環之間的區域中。

4.一種半導體器件，包括：

布線襯底；

與布線襯底倒裝片連接的半導體芯片；

填充布線襯底與半導體芯片之間的間隙的填充樹脂；

粘合到半導體芯片上的散熱器；

形成在布線襯底上并由空隙區域相互隔開的供電圖案和布線層下表面過孔連接區；

覆蓋供電圖案和布線層下表面過孔連接區的絕緣膜；

在絕緣膜上形成的布線層過孔連接區；

穿過絕緣膜并將布線層下表面過孔連接區連接至布線層過孔連接區的過孔；

形成在絕緣膜上、穿越空隙區域、并將布線層過孔連接區連接至半導體芯片的布線，

其中，布線層過孔連接區形成在半導體芯片外側，并且在離開半導體芯片對角線的延長線的1mm寬度的區域內，

布線在離開布線層過孔連接區邊界小于等于0.2mm的位置處彎曲。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，還包括：

粘合到布線襯底上的、圍繞半導體芯片的加強環，

所述布線層過孔連接區形成在半導體芯片與該加強環之間的區域中。

6.一種半導體器件，包括，

布線襯底；

與布線襯底倒裝片連接的半導體芯片；

填充布線襯底與半導體芯片之間的間隙的填充樹脂；

粘合到半導體芯片上的散熱器；

形成在布線襯底上并由空隙區域相互隔開的供電圖案和布線層下表面過孔連接區；

覆蓋供電圖案和布線層下表面過孔連接區的絕緣膜；

在絕緣膜上形成的布線層過孔連接區；

穿過絕緣膜并將布線層下表面過孔連接區連接至布線層過孔連接區的過孔；以及

形成在絕緣膜上、穿越空隙區域、并將布線層過孔連接區連接至半導體芯片的布線，

其中，布線層過孔連接區形成在半導體芯片外側，并且在離開半導體芯片對角線的延長線的1mm寬度的區域內，

空隙區域上方的布線的寬度大于布線中最窄部分的寬度。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，還包括：

粘合到布線襯底上的、圍繞半導體芯片的加強環，

所述布線層過孔連接區形成在半導體芯片與該加強環之間的區域中。

8.一種半導體器件的制造方法，包括以下步驟：

在布線襯底上形成布線，用阻焊劑覆蓋布線襯底的上部，并在阻焊劑中形成開口以暴露布線；以及

通過將布線襯底的布線經由焊料凸塊連接到半導體芯片的電極上，實現半導體芯片對布線襯底的倒裝片連接，

其中，焊料凸塊的焊料的量小于與阻焊劑的開口的角部和電極上內切的球的體積。

9.根據權利要求8所述的半導體器件的制造方法，其中，

在半導體芯片對布線襯底的倒裝片連接的步驟中，對半導體芯片施加擦洗。

10.根據權利要求8所述的半導體器件的制造方法，其中，

半導體器件包括粘合到布線襯底上的、圍繞半導體芯片的加強環，所述布線層過孔連接區形成在半導體芯片與該加強環之間的區域中。