[發明專利]成像器件和包括該成像器件的成像裝置無效
| 申請號: | 200810002979.0 | 申請日: | 2008-01-15 |
| 公開(公告)號: | CN101226950A | 公開(公告)日: | 2008-07-23 |
| 發明(設計)人: | 河端大 | 申請(專利權)人: | 索尼株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L27/148;G02B3/14 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 馬高平 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 成像 器件 包括 裝置 | ||
1.一種成像器件,包括:
多個光電轉換器件,用于將接收的光轉換成電信號;
多個聚光透鏡,用于聚集光并且將光供給所述多個光電轉換器件,所述聚光透鏡布置在所述多個光電轉換器件中的每一個的前面;和
流體透鏡,用于折射光并將光供給多個聚光透鏡,該流體透鏡布置在所述多個聚光透鏡前面,
其中,所述流體透鏡具有折射率彼此不同的第一流體和第二流體,和將電壓施加至所述第一流體和第二流體的電極,并且
所述流體透鏡根據施加到所述電極上的電壓,改變第一流體和第二流體之間的界面形貌,并改變供給所述多個聚光透鏡中的每一個的光的折射率。
2.如權利要求1所述的成像器件,其中,所述第一流體和第二流體是液體。
3.權利要求2所述的成像器件,其中,第一流體是絕緣油,第二流體是導電水溶液。
4.一種成像裝置,包括
多個光電轉換器件,用于將接收的光轉換成電信號;
多個聚光透鏡,用于聚集光并且將光供給所述多個光電轉換器件,所述聚光透鏡布置在所述多個光電轉換器件中的每一個的前面;
流體透鏡,用于折射光并將光供給所述多個聚光透鏡,該流體透鏡布置在所述多個聚光透鏡前面;和
固體透鏡組,用于讓來自物體的光進入流體透鏡,固體透鏡組布置在流體透鏡前面,
其中,所述流體透鏡具有折射率彼此不同的第一流體和第二流體,和將電壓供給所述第一流體和第二流體的電極,并且
所述流體透鏡根據施加到所述電極上的電壓,改變第一流體和第二流體之間的界面形貌,并改變供給所述多個聚光透鏡中的每一個的光的折射率。
5.如權利要求4所述的成像裝置,還包括:
透鏡位置傳感器,用于檢測固體透鏡組中的至少一個透鏡位置,
其中,根據所述透鏡位置傳感器檢測的透鏡位置,改變施加給所述電極的電壓。
6.如權利要求4所述的成像裝置,其中,還包括:角速度傳感器,用于檢測應用于所述成像裝置的角速度,
其中,根據角速度傳感器檢測的角速度改變施加給所述電極的電壓。
7.如權利要求4所述的成像裝置,其中,還包括:溫度傳感器,用于檢測所述成像裝置的周圍溫度,
其中,根據溫度傳感器檢測的溫度改變施加給所述電極的電壓。
8.一種成像器件的成像方法,該成像器件具有多個光電轉換器件、布置在所述多個光電轉換器件的每一個前面的多個聚光透鏡、和布置在所述多個聚光透鏡前面的流體透鏡,該方法包括以下步驟:
將光折射并將光供應給所述多個聚光透鏡的每一個,同時根據施加給電極的電壓改變第一流體和第二流體之間的界面形貌,其中流體透鏡具有折射率彼此不同的所述第一流體和第二流體,并具有將電壓施加給所述第一流體和第二流體的所述電極;
通過多個聚光透鏡聚集從所述流體透鏡供應的光并將光供給所述多個光電轉換器件;以及
通過多個光電轉換器件接收從多個聚光透鏡供應的光,并將光轉換成電信號。
9.一種成像裝置的成像方法,該成像裝置具有多個光電轉換器件、布置在所述多個光電轉換器件的每一個前面的多個聚光透鏡、布置在所述多個聚光透鏡前面的流體透鏡、和布置在所述流體透鏡前面的固體透鏡組,該方法包括以下步驟:
使來自物體的光通過所述固體透鏡組進入所述流體透鏡;
將光折射并將光供應給所述多個聚光透鏡的每一個,同時根據施加給電極的電壓改變第一流體和第二流體之間的界面形貌,其中所述流體透鏡具有折射率彼此不同的所述第一流體和第二流體,并具有將電壓施加給所述第一流體和第二流體的所述電極;
通過所述多個聚光透鏡聚集從所述流體透鏡供應的光并將光供給所述多個光電轉換器件;
通過所述多個光電轉換器件接收從所述多個聚光透鏡供應的光并將光轉換成電信號。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





