[發明專利]用作用于形成粒狀垂直磁記錄介質中夾層的沉積靶的錸基合金和使用所述合金的介質無效
| 申請號: | 200810002016.0 | 申請日: | 2008-01-03 |
| 公開(公告)號: | CN101220434A | 公開(公告)日: | 2008-07-16 |
| 發明(設計)人: | A·戴斯;M·G·拉辛;M·今河鉀;S·R·肯尼迪;R·阿羅拉 | 申請(專利權)人: | 賀利氏有限公司 |
| 主分類號: | C22C27/00 | 分類號: | C22C27/00;C23C14/14;G11B5/66;G11B5/84 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產權代理有限公司 | 代理人: | 趙蓉民;路小龍 |
| 地址: | 美國亞*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用作 用于 形成 粒狀 垂直 記錄 介質 夾層 沉積 合金 使用 | ||
1.錸基合金材料,其包括>50at.%錸和至少一種選自下述的合金化材料:
(a)粒度細化元素X,其具有大于或小于錸的原子半徑,以及在室溫或更高溫度下在hcp錸中具有<~6at.%的固溶度;和
(b)晶格匹配元素Y,其具有大于或小于錸的原子半徑,并且在室溫或更高溫度下形成在hcp錸中的固溶體。
2.如權利要求1中所述的合金材料,其具有組成Re-X,并且包含至少一種元素X,所述元素X選自:Be、B、Si、Ti、V、Mn、Fe、Cu、Ge、Se、Y、Zr、Nb、Pd、Ag、Sn、Sb、Te、La、Nd、Sm、Gd、Tb、Ho、Er、Yb、Lu、Hf、Ta、Bi、Th和U。
3.如權利要求2所述的合金材料,其還包括至少一種選自氧化物、氮化物和碳化物的材料。
4.如權利要求1所述的合金材料,其具有組成Re-Y,并且包含至少一種元素Y,所述元素Y選自:Al、Mo、W、Os、Pt、Au、C、Cr、Co、Ni、Ir、Ru、Rh和Os。
5.如權利要求4所述的合金材料,其還包括至少一種選自氧化物、氮化物和碳化物的材料。
6.如權利要求1所述的合金材料,其具有組成Re-X-Y,并且包含至少一種元素X,所述元素X選自:Be、B、Si、Ti、V、Mn、Fe、Cu、Ge、Se、Y、Zr、Nb、Pd、Ag、Sn、Sb、Te、La、Nd、Sm、Gd、Tb、Ho、Er、Yb、Lu、Hf、Ta、Bi、Th和U;以及至少一種元素Y,所述元素Y選自:Al、Mo、W、Os、Pt、Au、C、Cr、Co、Ni、Ir、Ru、Rh和Os。
7.如權利要求6所述的合金材料,其還包括至少一種選自氧化物、氮化物和碳化物的材料。
8.物理氣相沉積(PVD)靶,其包含權利要求2所述的錸基合金材料。
9.物理氣相沉積(PVD)靶,其包含權利要求5所述的錸基合金材料。
10.粒狀垂直磁記錄介質,其包括:
(a)具有表面的非磁性基底;和
(b)在所述基底表面上的層堆疊,所述層堆疊自所述表面按順序包括:
(i)非磁性或基本非磁性夾層;和
(ii)粒狀垂直磁記錄層,其與所述夾層覆蓋接觸,其中:
所述夾層包含錸基合金材料,其包含>50at.%錸和至少一種選自下述的合金化材料:粒度細化元素X,其具有大于或小于錸的原子半徑,以及在室溫或更高溫度下在hcp錸中具有<~6at.%的固溶度;和晶格匹配元素Y,其具有不同于錸的原子半徑,并且在室溫或更高溫度下形成在hcp錸中的固溶體。
11.如權利要求10所述的介質,其中:
所述夾層的所述錸基合金材料具有Re-X組成,并且包括至少一種元素X,所述元素X選自:Be、B、Si、Ti、V、Mn、Fe、Cu、Ge、Se、Y、Zr、Nb、Pd、Ag、Sn、Sb、Te、La、Nd、Sm、Gd、Tb、Ho、Er、Yb、Lu、Hf、Ta、Bi、Th和U。
12.如權利要求11所述的介質,其中:
所述夾層的所述錸基合金材料進一步包括至少一種選自氧化物、氮化物和碳化物的材料。
13.如權利要求10所述的介質,其中:
所述夾層的所述錸基合金材料具有Re-Y組成,并且包括至少一種元素Y,所述元素Y選自:Al、Mo、W、Os、Pt、Au、C、Cr、Co、Ni、Ir、Ru、Rh和Os。
14.如權利要求13所述的介質,其中:
所述夾層的所述錸基合金材料進一步包括至少一種選自氧化物、氮化物和碳化物的材料。
15.如權利要求10所述的介質,其中:
所述夾層的所述錸基合金材料具有Re-X-Y組成,并且包括至少一種元素X,其選自:Be、B、Si、Ti、V、Mn、Fe、Cu、Ge、Se、Y、Zr、Nb、Pd、Ag、Sn、Sb、Te、La、Nd、Sm、Gd、Tb、Ho、Er、Yb、Lu、Hf、Ta、Bi、Th和U;和至少一種元素Y,其選自:Al、Mo、W、Os、Pt、Au、C、Cr、Co、Ni、Ir、Ru、Rh和Os。
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