[發明專利]存儲單元及其制造方法

有效

• 申請號: 200810001978.4
• 申請日: 2008-01-04
• 公開（公告）號: CN101276880A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發明（設計）人: 龍翔瀾;林仲漢;馬修·J.·布雷維什;阿里間德羅·G.·施羅特;埃里克·A.·約瑟夫;羅格·W.·齊克
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 秦晨

1.一種形成存儲單元的方法，該方法包括：

在基片上方形成多個絕緣層；

在絕緣層的至少一個內形成底電極；

限定通過位于底電極上方的絕緣層中的至少一個的通孔，通孔與底電極通過至少一個中間絕緣層被分開；

在中間絕緣層上方的通孔內形成犧牲分隔件，犧牲分隔件包括直徑小于通孔直徑的溝道；

限定通過位于犧牲分隔件下方和底電極上方的中間絕緣層的孔，使得溝道通過中間絕緣層延續到底電極；

除去犧牲分隔件；

將相變材料沉積在該孔內，相變材料填充整個孔；以及

在相變材料上方形成上電極。

2.權利要求1的方法，進一步包括在絕緣層的至少一個內形成底切，底切限定位于通孔上方的垂懸物。

3.權利要求1的方法，其中形成犧牲分隔件包括：

在通孔內沉積犧牲分隔件層，犧牲分隔件層的保形沉積使得通過犧牲分隔件層來形成腔；以及

刻蝕犧牲分隔件層，使得位于腔下方的區域在犧牲分隔件內形成脊。

4.權利要求1的方法，其中孔是管形的。

5.權利要求1的方法，其中孔的表面基本上是平面的。

6.權利要求1的方法，其中限定孔的中間絕緣層的側壁基本上垂直于中間絕緣層的上表面。

7.權利要求1的方法，其中限定孔的中間絕緣層的側壁的直徑基本上小于通孔的直徑。

8.權利要求1的方法，進一步包括：

在形成相變材料之前，除去位于中間絕緣層上方的所有犧牲層。

9.一種存儲單元，包括：

基片；

形成于基片上方的絕緣層；

形成于絕緣層內的底電極；

底電極上方的絕緣層內的孔；

形成于該孔內的相變材料，相變材料填充整個孔；以及

形成于相變材料上方的上電極。

10.權利要求9的方法，其中孔是管形的。

11.權利要求10的方法，其中孔的表面基本上是平面的。

12.權利要求9的方法，其中限定孔的中間絕緣層的側壁基本上垂直于中間絕緣層的上表面。

13.權利要求9的方法，其中對相變材料和上電極被構圖用于位線連接。

14.權利要求9的方法，其中限定孔的中間絕緣層的側壁的直徑基本上小于通孔的直徑。

15.一種集成電路，包括一個或多個存儲單元，存儲單元中的至少一個包括：

基片；

形成于基片上方的絕緣層；

形成于絕緣層內的底電極；

底電極上方的絕緣層內的孔；

形成于該孔內的相變材料，相變材料填充整個孔；以及

形成于相變材料上方的上電極。

16.權利要求15的集成電路，其中孔是管形的。

17.權利要求15的集成電路，其中孔基本上是平面的。

18.權利要求15的集成電路，其中對相變材料和上電極被構圖用于位線連接。