[發(fā)明專利]基板處理裝置以及基板處理方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810001967.6
• 申請日: 2008-01-04
• 公開（公告）號: CN101236890A
• 公開（公告）日: 2008-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宮城雅宏;佐藤雅伸
• 申請（專利權(quán)）人: 大日本網(wǎng)目版制造株式會社
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/02;H01L21/311;B08B3/00
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 徐恕;馬少東

1.一種基板處理裝置，其向基板供給處理液而對所述基板進行處理，其特征在于，該基板處理裝置具有：

噴出部，其向基板以連續(xù)流動的狀態(tài)噴出導(dǎo)電性的處理液；

電位賦予部，其在貯存噴出前的所述處理液的容器、從所述容器至所述噴出部的流道、或者所述噴出部中，至少在所述處理液的噴出開始時對所述處理液賦予電位，從而降低向所述基板上噴出的處理液和所述基板之間的電位差。

2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述電位賦予部在從所述噴出部噴出所述處理液的期間持續(xù)對所述處理液賦予電位。

3.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述電位賦予部在所述噴出開始時對所述處理液賦予使所述電位差為0的電位。

4.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

在所述噴出部的噴出口附近設(shè)置有導(dǎo)電性的接觸液體部，

所述電位賦予部對所述接觸液體部賦予電位。

5.如權(quán)利要求4所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述噴出部能夠噴出包括所述處理液的多種處理液，

所述多種處理液分別從所述噴出口噴出。

6.如權(quán)利要求1～5中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，

該基板處理裝置還包括以非接觸狀態(tài)測量所述基板表面的電位的表面電位計，

基于在即將噴出所述處理液之前的由所述表面電位計測量的測量值，來決定在所述噴出開始時由所述電位賦予部對所述處理液賦予的電位。

7.如權(quán)利要求1～4中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，

該基板處理裝置還包括以非接觸狀態(tài)測量所述基板的表面的電位的表面電位計，

所述噴出部依次噴出包括所述處理液的多種處理液，

基于在即將噴出各處理液之前的由所述表面電位計測量的測量值，來決定在所述各處理液的噴出開始時由所述電位賦予部對所述各處理液賦予的電位。

8.一種基板處理方法，向基板供給處理液而對所述基板進行處理，其特征在于，該基板處理方法包括：

a工序：從噴出部向基板以連續(xù)流動的狀態(tài)噴出導(dǎo)電性的處理液；

b工序：在貯存噴出前的所述處理液的容器、從所述容器至所述噴出部的流道、或者所述噴出部，至少在所述處理液的噴出開始時對所述處理液賦予電位，從而降低向所述基板上噴出的處理液和所述基板之間的電位差。

9.如權(quán)利要求8所述的基板處理方法，其特征在于，

在所述b工序中，在從所述噴出部噴出所述處理液的期間，持續(xù)對所述處理液賦予電位。

10.如權(quán)利要求8所述的基板處理方法，其特征在于，

在所述b工序中，在所述噴出開始時對所述處理液賦予使所述電位差為0的電位。

11.如權(quán)利要求8所述的基板處理方法，其特征在于，

在所述噴出部的噴出口附近設(shè)置有導(dǎo)電性的接觸液體部，

在所述b工序中，對所述接觸液體部賦予電位。

12.如權(quán)利要求11所述的基板處理方法，其特征在于，

所述噴出部能夠噴出包括所述處理液的多種處理液，

所述多種處理液分別從所述噴出口噴出。

13.如權(quán)利要求8～12中任一項所述的基板處理方法，其特征在于，

該基板處理方法還包括c工序，該c工序是在即將噴出所述處理液之前測量所述基板的表面的電位的工序，

基于所述c工序中的測量值，決定在所述噴出開始時對所述處理液賦予的電位。

14.如權(quán)利要求8～11中任一項所述的基板處理方法，其特征在于，

所述噴出部依次噴出包括所述處理液的多種處理液，

通過測量在即將噴出各處理液之前的所述基板的表面的電位而取得測量值，

基于所述測量值，決定在所述各處理液的噴出開始時對所述各處理液賦予的電位。