[發(fā)明專利]操作具有氧化/氮化多層絕緣結(jié)構(gòu)非易失存儲(chǔ)單元的方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810001908.9
• 申請(qǐng)日: 2008-01-03
• 公開（公告）號(hào): CN101221956A
• 公開（公告）日: 2008-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賴二琨;施彥豪;徐子軒;李士勤;謝榮裕;謝光宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/115
• 分類號(hào): H01L27/115;H01L29/792;H01L29/51;G11C16/14
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 周國(guó)城

1.一種擦除存儲(chǔ)單元的方法，其特征在于，該方法包含：

提供一存儲(chǔ)單元，而該存儲(chǔ)單元包含：

一半導(dǎo)體層；

一下絕緣層位于該半導(dǎo)體層的上方；

一電荷儲(chǔ)存層位于該下絕緣層的上方；

一上絕緣多層結(jié)構(gòu)位于該電荷儲(chǔ)存層的上方，其中該上絕緣多層結(jié)構(gòu)包含一下介電層以及一上氮化物層位于該下介電層的上方；以及

一柵極位于該上絕緣多層結(jié)構(gòu)的上方；以及

對(duì)該柵極施加一正電壓，其中，該正電壓滿足下列條件之一：

1)擦除該存儲(chǔ)單元時(shí)，該正電壓造成由該柵極朝向該電荷儲(chǔ)存層的空穴發(fā)生隧穿；或者

2)編程該存儲(chǔ)單元時(shí)，該正電壓造成由該半導(dǎo)體層朝向該電荷儲(chǔ)存層的電子發(fā)生隧穿；或者

3)讀取該存儲(chǔ)單元時(shí)，該正電壓用來感測(cè)一電流，以及決定該存儲(chǔ)單元狀態(tài)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該存儲(chǔ)單元更包含一半導(dǎo)體襯底，而該半導(dǎo)體襯底是選自碳化硅、玻璃、藍(lán)寶石、絕緣體上硅、硅、介電質(zhì)或載體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該半導(dǎo)體層具有至少靠近該半導(dǎo)體層表面被一溝道區(qū)域所分離的二源極/漏極區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該半導(dǎo)體層包含經(jīng)p摻雜的硅，且其中該至少二源極/漏極區(qū)域的每—者包含—n摻雜的埋藏?cái)U(kuò)散注入?yún)^(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該存儲(chǔ)單元滿足下列條件之一：該下絕緣層包含一氧化物；或者該電荷儲(chǔ)存層包含一氮化物；或者該下介電層包含一氧化物。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的方法，其特征在于，該存儲(chǔ)單元滿足下列條件之一：該下絕緣層具有—30埃至120埃的厚度；或者該電荷儲(chǔ)存層具有一40埃至150埃的厚度；或者該下介電層具有一18埃至25埃的厚度；或者該上氮化物層具有一40埃至70埃的厚度。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，該存儲(chǔ)單元滿足下列條件之一：該電荷儲(chǔ)存層包含一氮化硅；或者該下介電層包含一氧化硅；或者該上氮化物層包含一氮化硅。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的方法，其特征在于，該柵極包含p摻雜多晶硅。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該正電壓滿足下列條件之一：

1)擦除該存儲(chǔ)單元時(shí)，該正電壓為11至16伏特；或者

2)編程該存儲(chǔ)單元時(shí)，該正電壓為7至11伏特；或者

3)讀取該存儲(chǔ)單元時(shí)，該正電壓為2至5伏特。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或9所述的方法，其特征在于，該正電壓滿足下列條件之一：

1)擦除該存儲(chǔ)單元時(shí)，施加該正電壓一介于50毫秒至1秒間的時(shí)間長(zhǎng)度；或者

2)編程該存儲(chǔ)單元時(shí)，施加該正電壓一介于1至50微秒間的時(shí)間長(zhǎng)度。