[發明專利]小片重新配置的封裝結構及封裝方法有效
| 申請號: | 200810001653.6 | 申請日: | 2008-01-04 |
| 公開(公告)號: | CN101477956A | 公開(公告)日: | 2009-07-08 |
| 發明(設計)人: | 沈更新 | 申請(專利權)人: | 南茂科技股份有限公司;百慕達南茂科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/48;H01L23/31;H01L25/00 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 | 代理人: | 陳 亮 |
| 地址: | 臺灣省新竹科學*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 小片 重新 配置 封裝 結構 方法 | ||
1.一種小片重新配置的封裝方法,其特征在于包括:
提供一第一基板,具有一上表面及一下表面,其上表面上配置一高分子材 料層,且該高分子材料層形成多個區域且每一該區域包括至少一縫;
提供多個小片,每一該些小片具有一有源面及一背面,并于該有源面上配 置有多個焊墊;
取放該些小片,將每一該小片的該有源面以覆晶方式置放在該高分子材料 層的一區域上,并使該多個焊墊對準于該縫;
提供一第二基板,其上配置一二階段熱固性膠材;
形成一封裝體,其將該第二基板及該二階段熱固性膠材與該第一基板的上 表面接合,以使該二階段熱固性膠材包覆每一該小片;
執行一烘烤程序,以使該二階段熱固性膠材固化而形成一固化的封裝體;
脫離該第一基板,以裸露出該高分子材料層且該多個小片的有源面上的該 多個焊墊裸露于該些縫中;
形成多條扇出的金屬線段,每一該金屬線段的一端與該些焊墊電性連接;
形成一保護層,以覆蓋每一該小片的有源面及每一該金屬線段并曝露出每 一該金屬線段的另一端;
形成多個電性連接元件,將該些電性連接元件與該些金屬線段的另一端電 性連接;及
切割該封裝體,以形成多個各自獨立的封裝結構。
2.如權利要求1所述的封裝方法,其特征在于,該封裝結構是封裝一小片。
3.如權利要求1所述的封裝方法,其特征在于,該封裝結構是封裝多個小 片。
4.一種小片重新配置的封裝方法,其特征在于包括:
提供一第一基板,具有一上表面及一下表面,其該上表面上配置一高分子 材料層,且該高分子材料層形成多個區域且每一該區域包括一開口;
提供多個小片,每一該小片具有一有源面及一背面,并于該有源面上配置 有多個焊墊;
取放該些小片,是將每一該小片的該有源面以覆晶方式置放在該高分子材 料層的一區域上,并使該多個焊墊對準于一該開口;
提供一第二基板,具有一上表面及一下表面,于該上表面上配置一二階段 熱固性膠材;
執行一接合程序,將該第二基板、該二階段熱固性膠材與該第一基板的上 表面接合,以使該二階段熱固性膠材包覆每一該小片;
執行一烘烤程序,以使該二階段熱固性膠材固化而形成一固化的封裝體;
脫離該第一基板,以裸露出該高分子材料層且該些小片的該有源面上的該 些焊墊裸露于該開口中;
形成一第一保護層,覆蓋該高分子材料層及該開口并曝露該些焊墊;
形成多條扇出的金屬線段,每一該金屬線段的一端與該些焊墊電性連接;
形成一第二保護層,以覆蓋每一該小片的有源面及每一該金屬線段并曝露 出每一該金屬線段的另一端;
形成多個電性連接元件,將該些電性連接元件與該些金屬線段的另一端電 性連接;及
切割該封裝體,以形成多個各自獨立的封裝結構。
5.如權利要求4所述的封裝方法,其特征在于,該封裝結構是封裝一小片。
6.如權利要求4所述的封裝方法,其特征在于,該封裝結構是封裝多個小 片。
7.一種小片重新配置的封裝方法,其特征在于,包括:
提供一基板,具有一上表面及一下表面,其該上表面上配置一高分子材料 層,且該高分子材料層形成多個區域且每一該區域包括至少一縫;
提供多個小片,每一該些小片具有一有源面及一背面,并于該有源面上配 置有多個焊墊;
取放該些小片,將每一該小片的該有源面以覆晶方式置放在該高分子材料 層上,并使該些焊墊對準于該縫;
形成一高分子材料層,用以包覆每一該小片且填滿于每一該小片之間;
脫離該基板,以裸露出該高分子材料層且該些小片的該有源面上的該些焊 墊裸露于該些縫中;
形成多條扇出的金屬線段,每一該金屬線段的一端與該些焊墊電性連接;
形成一保護層,以覆蓋每一該小片的該有源面及每一該金屬線段并曝露出 每一該金屬線段的另一端;
形成多個電性連接元件,將該些電性連接元件與該些金屬線段的另一端電 性連接;及
切割該封裝體,以形成多個各自獨立的完成封裝結構。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于南茂科技股份有限公司;百慕達南茂科技股份有限公司,未經南茂科技股份有限公司;百慕達南茂科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810001653.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:多芯片封裝體
- 下一篇:具高效率側向發光效果的發光二極管芯片封裝方法及結構
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





