[發(fā)明專利]等離子體處理裝置、聚焦環(huán)和基座

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810001388.1
• 申請(qǐng)日: 2004-04-23
• 公開（公告）號(hào): CN101303997A
• 公開（公告）日: 2008-11-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 遠(yuǎn)藤升佐;巖渕紀(jì)之;加藤茂昭;大久保智也;廣瀬潤;長倉幸一;輿水地鹽;傳寶一樹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/68
• 分類號(hào): H01L21/68;H01L21/205;H01L21/3065;C23F4/00;C30B25/12
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 龍淳

1.一種等離子體處理裝置，包括：

一個(gè)基座，具有一個(gè)靜電卡盤，在其上載置一個(gè)要進(jìn)行等離子體處理的被處理體，和一個(gè)聚焦環(huán)，其具有一個(gè)與所述靜電卡盤接觸的接觸部分；

其特征在于，所述聚焦環(huán)具有介電材料部分，該介電材料部分形成與所述靜電卡盤接觸的所述接觸部分；和導(dǎo)體材料部分，該導(dǎo)體材料部分隔著所述介電材料部分而面向所述靜電卡盤

2.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述介電材料部分在所述聚焦環(huán)的徑向具有一個(gè)固定厚度。

3.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述介電材料部分由構(gòu)成所述導(dǎo)體材料部分的材料的氧化物組成。

4.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，構(gòu)成所述導(dǎo)體材料部分的材料是硅。

5.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，構(gòu)成所述介電材料部分的材料是二氧化硅。

6.一種聚焦環(huán)，其特征在于，具有一個(gè)與靜電卡盤接觸的接觸部分，在靜電卡盤上載置一個(gè)要進(jìn)行等離子體處理的被處理體，該聚焦環(huán)包括：

介電材料部分，其形成與所述靜電卡盤接觸的所述接觸部分；和

導(dǎo)體材料部分，其隔著所述介電材料部分而面向所述靜電卡盤。

7.一種基座，包括：

一個(gè)靜電卡盤，在其上載置一個(gè)要進(jìn)行等離子體處理的被處理體；和

一個(gè)聚焦環(huán)，其具有一個(gè)與所述靜電卡盤接觸的接觸部分，

其特征在于，所述聚焦環(huán)具有介電材料部分，該介電材料部分形成與所述靜電卡盤接觸的所述接觸部分；和導(dǎo)體材料部分，該導(dǎo)體材料部分隔著所述介電材料部分而面向所述靜電卡盤。