[發明專利]存儲裝置、存儲控制電路和磁頭位置偏移測量方法

無效

• 申請號: 200810001373.5
• 申請日: 2008-01-16
• 公開（公告）號: CN101246696A
• 公開（公告）日: 2008-08-20
• 發明（設計）人: 河邊享之
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: G11B5/596
• 分類號: G11B5/596
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 李輝

技術領域

本發明涉及用于檢測向磁頭設置的寫入頭與讀取頭的磁頭位置偏移并在讀取存儲介質時校正該讀取頭的位置偏移量的存儲裝置、存儲控制電路和磁頭位置偏移測量方法。具體地說，本發明涉及一種針對向磁道之間的非磁性區設置的存儲介質的用于測量磁頭位置偏移的存儲裝置、存儲控制電路和磁頭位置偏移測量方法。

背景技術

近年來，在磁盤裝置中，已經采用組合型磁頭結構，在該組合型磁頭結構中，例如利用隧道磁阻效應(TMR)的高靈敏度讀取頭獨立于寫入頭。在具有這種結構的磁頭中，不能完全消除在磁頭制造處理中出現的寫入頭與讀取頭的位置偏移，因此，在特定磁道上記錄時，寫入頭和讀取頭所經過的路徑不同。因此，針對存儲，要求例如在制造檢查處理中預先測量這種偏移量，然后，在目標磁道上記錄數據時，從徑向位置校正該偏移量，以再現該目標磁道上的數據。近年來，相鄰磁道之間的間隔已經在200nm的量級。如果寫入頭與讀取頭的位置偏移為幾個微米，則必須要求與幾個磁道相對應的位置偏移校正。隨著磁道之間的間隔因密度的增高而變窄，該趨勢成為更加重要的問題。而且近年來，在磁盤裝置中，小型化的趨勢顯著，因此，已經要求能夠進行高密度記錄的磁盤介質。然而，在增加磁盤的記錄密度時，存在如何防止來自相鄰記錄位的干擾的問題。在認識到這種問題的情況下，傳統上已經提出了稱作離散磁道記錄(discrete-track?recording)的技術，在該技術中，針對磁盤介質沿徑向的干擾，針對各磁道對磁盤介質進行物理分區，以減小來自相鄰磁道的干擾。此外，在認識到防止來自相鄰記錄位的干擾不利于記錄密度的增加的同一問題的情況下，傳統上還提出了稱作晶格介質(patterned?media)的技術，在該技術中，還沿周向對磁盤介質進行物理分區，即，以記錄位為單位進行構圖，從而減小來自相鄰位的干擾。因此，對于使用諸如離散磁道和晶格介質的技術的存儲介質，也要求精確地進行寫入頭與讀取頭的位置偏移校正，以實現高密度記錄。

圖1以線性方式示出了在測量磁頭位置偏移的處理中記錄介質的一個磁道長度，其中，M個伺服扇區對應于一圈磁道。為了校正向組合型磁頭200設置的寫入頭202與讀取頭204的位置偏移，首先使用通過讀取頭204讀取伺服扇區而獲得的磁頭位置信號而使寫入頭202位于特定徑向位置處的磁道204-N處，將一圈磁道的測量信號記錄在測量圖案206上，如圖所示。此時，由于讀取頭204與寫入頭202之間存在位置偏移，因此讀取頭204采取與磁道204-N相一致的路徑208，而寫入頭202采取偏移磁道204-N的位置處的路徑210，在該位置寫入了測量圖案206。通過在寫入測量圖案206之后，在從被寫入測量圖案206的位置逐漸偏移讀取頭204的讀取位置的同時讀取讀取頭204在徑向中所處的讀取位置，并且例如求得再現信號的振幅的輪廓(分布)，從而獲得圖2A，來檢測位置偏移量。