[發明專利]用于包含各向異性半導體薄板的寫一次存儲器的二極管-和-熔絲存儲元件無效
| 申請號: | 200810001288.9 | 申請日: | 2003-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN101232039A | 公開(公告)日: | 2008-07-30 |
| 發明(設計)人: | C·M·佩爾洛夫;S·福雷斯特 | 申請(專利權)人: | 惠普公司 |
| 主分類號: | H01L27/28 | 分類號: | H01L27/28;H01L27/102;H01L21/82;G11C17/16 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王岳;劉春元 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 包含 各向異性 半導體 薄板 一次 存儲器 二極管 存儲 元件 | ||
1.一種連續的二極管薄板(606),用在電子存儲陣列中,它連接二維存儲陣列中的行線(602)到列線(604),電子存儲器陣列的每個交叉行列線網格點上的二極管薄板的體(206)用作二極管-熔絲存儲元件(208、210),包括半導體-結合薄板的連續二極管薄板:
正向偏壓下在和二極管薄板垂直的方向上高電導率,但在反向偏壓下有低電導率,由此構成一個二極管;
行線和列線之間通過大于臨界電流時行線和列線之間的體減小,由此充當熔絲;并且
在與薄板平行的方向上阻擋電阻流過,以使電子存儲器陣列的行列線網格點之間的二極管體與電子存儲器陣列的其它行列線網格點之間的所有其它二極管薄板體在電子上相對隔離。
2.權利要求1的連續二極管薄板(606)包括由銅酞菁(610)薄膜組成的第一層和由3,4,9,10-苝四羧酸-二苯并咪唑(608)薄膜組成的第二層,第一層與第二層相結合。
3.一個包括權利要求1的連續二極管薄板(606)的電子存儲器陣列包括:
一組實際上平行的導電行線(602);
一組實際上平行的導電列線(604);和
一組導電行線和一組導電列線之間的連續二極管薄板(606)有實際上與導電行線組和導電列線組平行的頂部和底部表面,在行列和列線的每個交叉點上的二極管薄板的局部體構成二極管-熔絲存儲元件。
4.權利要求3的電子存儲器陣列,其中二極管薄板的電阻是各向異性的,在與二極管薄板的頂部和底部表面垂直的方向上有低電阻,在相反方向上有以及和二級管薄板的頂部和底部表面平行的所有方向上有高電阻。
5.權利要求4的電子存儲器陣列還包括與行線和列線耦合的能在外部訪問的導電連接器(120-123,126-129)。
6.權利要求4的電子存儲器陣列,其中每個二極管-熔絲存儲元件(206、208、210)存儲一個信息位。
7.權利要求6的電子存儲器陣列,其中熔斷的二極管-熔絲存儲元件(702)代表位″1″,完整的二極管-熔絲存儲元件代表位″0″。
8.權利要求6的電子存儲器陣列,其中熔斷的二極管-熔絲存儲元件(702)代表位″0″,完整的二極管-熔絲存儲元件代表位″1″。
9.一種構造二維存儲陣列(118)的方法,該方法包括:
用第一組平行導線提供基片(116);
在第一組平行導線的頂部給施予者/接受者-有機-結合(606)分層,施予者/接受者-有機-結合薄板
在與薄板垂直的一個方向上傳導電流,并由此充當二極管,
在行線(602)和列線(604)之間的體中物理不穩定,在行線和列線之間傳遞大于臨界電流的電流,和
在與薄板平行的方向上阻擋電流流過,以使二維存儲陣列(118)的行線和線列網格結點之間的施予者/接受者-有機-結合薄板材料(206)在電子上與二維存儲陣列的其它行列線網格點之間的施予者/接受者-有機-結合薄板的所有其它體相對隔離;
在施予者/接受者-有機-結合薄板的頂部放置與第一組平行導線垂直的第二組平行導線;并提供與行線和列線耦合的從外部能夠訪問的導電連接順(120-123、126-129)。
10.權利要求4的方法,其中施予者/接受者-有機-結合薄板(606)包括由銅酞菁(610)薄膜組成的第一層和由3,4,9,10-苝四羧酸-二苯并咪唑(608)薄膜組成的第二層,第一層與第二層相結合。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





