[發明專利]二氧化硅物質的電化學檢測

有效

• 申請號: 200780053577.7
• 申請日: 2007-06-29
• 公開（公告）號: CN101765767A
• 公開（公告）日: 2010-06-30
• 發明（設計）人: 約瑟夫·王;阿瑞斯托特里斯·蒂米特拉克寶羅斯;塞利娜·勒尼尼文;史蒂芬·馬比克
• 申請（專利權）人: 代表亞利桑那大學的亞利桑那校董會;米利波爾公司
• 主分類號: G01N27/42
• 分類號: G01N27/42
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 王達佐;陰亮

1.使用電化學檢測來檢測無機二氧化硅物質的方法，包括：

向緩沖溶液施加電壓，所述緩沖溶液含有金屬鉬-氯冉酸鹽復合物 并且沒有待檢測的無機二氧化硅物質；

在不存在所述無機二氧化硅物質的情況下，測量與所述金屬鉬- 氯冉酸鹽復合物相關的第一電流；

將所述無機二氧化硅物質添加到所述緩沖溶液中；

在存在所添加的無機二氧化硅物質的情況下，測量與所述金屬鉬- 氯冉酸鹽復合物相關的第二電流；以及

獲得所述第一電流和所述第二電流之間的差值，以識別在所述緩 沖溶液中所添加的無機二氧化硅物質的濃度。

2.如權利要求1的所述方法，其中，測量所述第一電流和所述第 二電流包括施加由掃描電位跟隨的富集電位。

3.如權利要求2的所述方法，其中，所述施加富集電位包括施加 包括0.5伏特幅度的富集電位。

4.如權利要求2的所述方法，其中，所述施加富集電位包括在包 括60秒的時間段施加富集電位。

5.如權利要求2的所述方法，其中，施加掃描電位包括施加具有 25毫伏幅度、4毫伏跨步電勢和25赫茲頻率中至少之一的掃描電位。

6.如權利要求1的所述方法，其中，測量所述第一電流和所述第 二電流包括使用含有鉍、金、碳或汞中至少之一的工作電極。

7.如權利要求6的所述方法，其中，使用工作電極測量所述第一 電流和所述第二電流包括包括使用絲網印刷電極。

8.如權利要求1的所述方法，其中，測量所述第一電流和所述第 二電流包括測量伏安信號。

9.如權利要求8的所述方法，其中，測量所述伏安信號包括使用 溶出伏安計。

10.如權利要求9的所述方法，其中，使用溶出伏安計測量所述 伏安信號包括使用一次性的溶出伏安計。

11.用于使用電化學檢測來檢測無機二氧化硅物質的系統，包括：

檢測裝置，所述檢測裝置包括：

容器，配置為在所述容器中至少部分地盛放溶液，所述溶液 含有金屬鉬-氯冉酸鹽復合物；和

導電元件，其至少部分浸入所述溶液中，其中，所述容器、 所述溶液和所述導電元件配置為測量第一電流和第二電流，所述第一 電流對應于在不存在無機二氧化硅物質的情況下的所述金屬鉬-氯冉 酸鹽復合物，第二電流對應于在存在無機二氧化硅物質的情況下的所 述金屬鉬-氯冉酸鹽復合物；以及

數據處理裝置，所述數據處理裝置配置為：

從所述檢測裝置接收所測量的第一電流和第二電流；以及

獲得所述第一電流和所述第二電流之間的差值，以識別所述 無機二氧化硅物質的濃度。

12.如權利要求11的所述系統，其中，所述導電元件包括鉍、金、 碳或汞中至少之一。

13.如權利要求11的所述系統，其中，所述導電元件包括絲網印 刷電極。

14.如權利要求11的所述系統，其中，將所述檢測裝置配置為溶 出伏安計。

15.如權利要求14的所述系統，其中，所述溶出伏安計包括一次 性的溶出伏安計。

16.如權利要求11的所述系統，其中，所述檢測裝置配置為通過 施加由掃描電位跟隨的富集電位來測量所述第一電流和所述第二電 流。

17.使用電化學檢測來檢測無機二氧化硅物質的方法，包括：

在不存在目標非電活性二氧化硅物質材料的情況下，檢測電活性 鉬-氯冉酸鹽復合物材料的第一電活性；

在存在所述目標非電活性二氧化硅物質材料的情況下，檢測所述 電活性鉬-氯冉酸鹽復合物材料的第二電活性；

獲得所述第一電活性和所述第二電活性之間的差值；以及

根據所獲得的差值，識別所述目標非電活二氧化硅物質性材料的 濃度。