[發(fā)明專利]探針、探針卡及探針的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200780053568.8
• 申請日: 2007-07-03
• 公開（公告）號: CN101720438A
• 公開（公告）日: 2010-06-02
• 發(fā)明（設計）人: 和田晃一
• 申請（專利權）人: 株式會社愛德萬測試
• 主分類號: G01R1/073
• 分類號: G01R1/073
• 代理公司: 深圳市順天達專利商標代理有限公司 44217
• 代理人: 高占元

1.一種探針，用于在被測試電子元件的測試時與所述被測試電子元件的輸入輸出端子接觸以確立所述被測試電子元件與測試裝置之間的電連接，其特征在于，所述探針至少具備：

具有由單晶硅構成的Si層的梁部；和

沿所述梁部的縱向設置在所述梁部的一個主要面上并與所述被測試電子元件的輸入輸出端子電連接的導電部，

所述梁部的縱向與構成所述Si層的所述單晶硅的晶體取向<100>實質上一致。

2.根據(jù)權利要求1所述的探針，其特征在于，所述探針還具備以懸臂支承方式統(tǒng)一支承多個所述梁部的臺座部。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的探針，其特征在于，所述導電部具有：

沿縱向設置在所述梁部的所述主要面上的布線部；和

設置在所述布線部的頂端并與所述被測試電子元件的所述輸入輸出端子接觸的接點部。

4.一種探針卡，其特征在于，具備：

權利要求2或3所述的探針；和

固定所述探針具有的所述臺座部的基板。

5.一種探針的制造方法，作為權利要求1～3任一項所述的探針的制造方法，其特征在于，在硅晶片表面形成抗蝕層后，通過對所述硅晶片進行蝕刻處理形成所述梁部。

6.根據(jù)權利要求5所述的探針的制造方法，其特征在于，所述硅晶片不僅具有面取向{100}的主要面，還具有表示晶體取向<100>的定向平面或凹槽。

7.根據(jù)權利要求5所述的探針的制造方法，其特征在于，所述硅晶片不僅具有面取向{100}的主要面，還具有表示晶體取向<110>的定向平面或凹槽，

在將所述硅晶片從普通狀態(tài)實質上旋轉45°的狀態(tài)下，在所述硅晶片的表面上形成所述抗蝕層，由此使所述梁部的縱向與所述硅晶片的晶體取向<100>實質上一致。

8.根據(jù)權利要求7所述的探針的制造方法，其特征在于，所述硅晶片不僅具有面取向{100}的主要面，還具有表示晶體取向<110>的定向平面或凹槽，

在將用于形成所述抗蝕層的圖案從普通狀態(tài)實質上旋轉45°的狀態(tài)下，在掩膜上形成所述圖案，利用所述掩膜在所述硅晶片表面形成所述抗蝕層，由此使所述梁部的縱向與所述硅晶片的晶體取向<100>實質上一致。

9.根據(jù)權利要求7所述的探針的制造方法，其特征在于，所述硅晶片不僅具有面取向{100}的主要面，還具有表示晶體取向<110>的定向平面或凹槽，

在將用于形成所述抗蝕層的掩膜從普通狀態(tài)實質上旋轉45°的狀態(tài)下，在所述硅晶片的表面上形成所述抗蝕層，由此使所述梁部的縱向與所述硅晶片的晶體取向<100>實質上一致。

10.根據(jù)權利要求5～9任一項所述的探針的制造方法，其特征在于，在對所述硅晶片進行蝕刻處理時，采用DRIE(Deep?Reactive?Ion?Etching)法。